Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention comprises a chamber; a substrate support part installed at the bottom of said chamber and furnished with an amorphous silicone thin film and a conductive thin film; and a power application part installed at the top of said chamber and furnished with an electrode for power application to apply electrical power to said conductive thin film; said substrate support part comprises a UVW stage installed at the bottom of said chamber and a substrate stage installed at the top of said UVW stage.
French[fr]
Selon l'invention, l'appareil comprend une chambre, un support pour substrat installé au fond de la chambre et contenant une couche mince en silicium polycristallin et une couche mince conductrice; et une partie d'application de la puissance placée sur la partie supérieure de la chambre et équipée d'une électrode destinée à l'application d'une tension électrique sur la couche mince conductrice; ledit support de substrat comprend un étage UVW installé au fond de la chambre et un étage pour le substrat installé dans la partie supérieure de l'étage UVW.
Korean[ko]
또한 본 발명은 챔버 내부의 하부에 설치되는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지의 상면에 위치하며, 도전성 박막과 비정질 실리콘 박막이 형성된 기판을 상기 기판 스테이지의 하부에 위치하는 UVW 스테이지를 이용하여 정렬시킴으로써, 결정화 공정이 진행가능하도록 준비하는 결정화 준비 단계; 및 상기 챔버 내부의 상부에 설치되는 전원 공급용 전극을 상기 도전성 박막과 접촉시켜 전원을 공급하여 주울 열을 발생시키고, 상기 발생된 주울 열을 통하여 상기 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 결정화 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막 제조방법인 것을 특징으로 한다.