Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A time required for manufacturing a semiconductor device is shortened by increasing and reducing the base temperature of semiconductor wafers, such as a silicon wafer, to target temperatures at a high speed, a semiconductor device is manufactured with high qualities by having the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer as desired with high accuracy (by uniformizing the in-plane temperature and varying the in-plane temperature distribution by region), and furthermore, an apparatus with excellent energy efficiency is simply configured.
French[fr]
Selon l'invention, une durée requise pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs est raccourcie par augmentation et réduction de la température de base de tranches de semi-conducteur, telles qu'une tranche de silicium, à des températures cibles à grande vitesse, un dispositif à semi-conducteurs est fabriqué avec des qualités élevées en amenant la distribution de température dans le plan de la tranche de semi-conducteur à être telle que désirée avec une précision élevée (par uniformisation de la température dans le plan et modification de la distribution de température dans le plan par région), et en outre, un appareil ayant un excellent rendement énergétique est configuré de façon simple.
Japanese[ja]
シリコンウェーハなどの半導体ウェーハのベース温度を高速に目標温度に上昇させたり、目標温度まで下降させたりすることで、半導体デバイスの製造時間を短縮させるようにするとともに、半導体ウェーハの面内の温度分布を、精度よく所望する温度分布に(面内を均一にしたり、面内温度分布を各部で異ならせたり)することにより、半導体デバイスを高品質に製造できるようにし、更にエネルギー効率に優れ、装置を簡易に構成できるようにする。 制御手段は、半導体ウェーハの温度を上昇させて目標温度に制御する場合には、高温槽内の目標温度よりも高い温度の高温循環液がステージ内の流路に供給されるように切り換えて、半導体ウェーハの温度が目標温度に一致し半導体ウェーハの面内温度分布が所望温度分布になるように複数のゾーンごとの熱電素子を制御する。