Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method and apparatus for growing a sapphire single crystal according to the present invention enable the temperature in the horizontal direction of a crucible to be maintained at a uniform level even when the crucible has a rectangular shape, to thereby produce a high-quality single crystal and to reduce the likelihood of failure in growing a single crystal.
French[fr]
Le procédé et l'appareil pour faire croître un monocristal de saphir selon la présente invention permettent à la température dans la direction horizontale d'un creuset d'être maintenue à un niveau uniforme même lorsque le creuset a une forme rectangulaire, de façon à produire ainsi un monocristal de haute qualité et à réduire ainsi la probabilité de défaillance dans la croissance d'un monocristal.
Korean[ko]
본 발명은 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직사각형의 긴 도가니를 사용하고, c-축 방향으로 긴 종자결정을 사용함에 있어, 짧은 시간 내에 고품질의 긴 단결정을 획득할 수 있는 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치를 이용하면, 직사각형의 도가니를 이용하여도 도가니 내부의 수평방향의 온도를 균일하게 유지할 수 있어, 고품질의 단결정을 획득할 수 있을 뿐만 아니라, 단결정성장에 있어서 실패 확률을 낮추는 효과가 있다.