Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a method for manufacturing a silicon wafer wherein generation of wafer deformation is eliminated by reducing oxygen precipitation, i.e., the cause of the deformation, even when rapid temperature increase/reduction heat treatment is performed to the wafer, and at the same time, slip extension generated due to boat scratches and transfer scratches, i.e., the causes of wafer strength deterioration, are also eliminated.
French[fr]
La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'une plaquette de silicium, la génération d'une déformation de plaquette étant éliminée par réduction de la précipitation d'oxygène, à savoir la cause de la déformation, même lorsqu'un traitement thermique par augmentation/diminution rapide de la température est effectué sur la plaquette et, en même temps, un prolongement par glissement généré à cause des rayures de la nacelle et des rayures de transfert, à savoir les causes de la détérioration de la solidité de la plaquette, étant également éliminé.
Japanese[ja]
急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能なシリコンウェーハを提供可能とすることができるシリコンウェーハの製造方法。