Metadata
Author: patents-wipo
Data
German[de]
Weiterhin umfasst der Halbleiterkörper zumindestens einen die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge durchtrennenden Graben zur Unterteilung der aktiven Schicht der Halbleiterschichtenfolge in wenigstens zwei elektrisch isolierte aktive Teilschichten (22, 22').
English[en]
The semi-conductor body also comprises at least one trench that separates the active layer of the semi-conductor layer sequence for dividing the active semiconductor layer sequence into at least two electrically insulated active part layers (22, 22').
French[fr]
Le composant semiconducteur comporte en outre au moins une tranchée divisant la couche active de l'empilement de couches semiconductrices pour subdiviser cette couche active en au moins deux couches partielles actives (22,22') électriquement isolées.