Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A method comprising the steps of: forming a copper film (101) on a Cu barrier film (100); forming a mask material (102) on the copper film (101); anisotropically etching the copper film (101) until the Cu barrier film (100) is exposed, using the mask material (102) as a mask; and removing the mask material (102) and subsequently forming a plating film (104) that contains a substance for suppressing copper diffusion on the anisotropically etched copper film (101), using an electroless plating method that utilizes a selective deposition in which catalytic action occurs with respect to the copper film (101) but not the Cu barrier film (100).
French[fr]
L'invention porte sur un procédé comprenant les étapes consistant à : former un film de cuivre (101) sur un film barrière au Cu (100) ; former un matériau de masque (102) sur le film de cuivre (101) ; graver de façon anisotrope le film de cuivre (101) jusqu'à ce que le film barrière au Cu (100) soit exposé, à l'aide du matériau de masque (102) servant de masque ; et enlever le matériau de masque (102) et par la suite former un film de placage (104) qui contient une substance pour la suppression de la diffusion du cuivre sur le film de cuivre (101) gravé de façon anisotrope, à l'aide d'un procédé de placage autocatalytique qui utilise un dépôt sélectif dans lequel une action catalytique a lieu au niveau du film de cuivre (101) mais pas du film barrière au Cu (100).
Japanese[ja]
Cuバリア膜(100)上に、銅膜(101)を形成する工程と、銅膜(101)上に、マスク材(102)を形成する工程と、マスク材(102)をマスクに用いて、銅膜(101)をCuバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材(102)を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜(101)上に、銅膜(101)に対して触媒作用があり、Cuバリア膜(100)には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜(104)を形成する工程と、を具備する。