Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
This terahertz electromagnetic wave conversion device has an HEMT structure having a substrate (201), an electron transit layer (202), an electron supply layer (203), a source (204) and a drain (205), and comprises a first group of gates (G1) and a second group of gates (G2).
French[fr]
Ce dispositif de conversion d'onde électromagnétique térahertz a une structure à transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) ayant un substrat (201), une couche de transit d'électrons (202), une couche de distribution d'électrons (203), une source (204) et un drain (205), et comprend un premier groupe de grilles (G1) et un second groupe de grilles (G2).
Japanese[ja]
本発明のテラヘルツ電磁波変換装置は、基板(201)、電子走行層(202)、電子供給層(203)、ソース(204)、及びドレイン(205)を有するHEMT構造であり、第1の組のゲート(G1)と第2の組のゲート(G2)を備える。