Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
This plasma etching method selectively plasma etches a silicon oxide film at high etching speeds without causing increased surface coarseness.
French[fr]
Ce procédé de gravure au plasma grave au plasma de façon sélective un film d'oxyde de silicium à de grandes vitesses de gravure sans provoquer un accroissement de la rugosité de surface.
Japanese[ja]
本発明のプラズマエッチングガスは、優れたエッチング選択性を有し、かつ、大気寿命が短く、環境負荷が小さいものであり、本発明のプラズマエッチング方法は、表面粗度を上昇させることなく、選択的に、高いエッチング速度でシリコン酸化膜をプラズマエッチングする方法である。