Metadata
Author: WikiMatrix
Data
English[en]
By applying a high reverse bias voltage (typically 100–200 V in silicon), APDs show an internal current gain effect (around 100) due to impact ionization (avalanche effect).
Spanish[es]
Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente 100) debido a la ionización de impacto (Efecto avalancha).