Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
First conductivity type SiC regions (16) with a higher concentration of first conductivity type impurities than the SiC epitaxial layer (12) are at least formed in a part in the proximity of the surface on one side in the direction of thickness of a part where JTE regions (15) join each other.
French[fr]
Des régions de SiC du premier type de conductivité (16), présentant une concentration d'impuretés du premier type de conductivité plus élevée que celle de la couche épitaxiale de SiC (12), sont au moins formées dans une partie à proximité de la surface d'un côté dans la direction d'épaisseur d'une partie où des régions JTE (15) se réunissent entre elles.
Japanese[ja]
少なくとも、JTE領域(15)同士が接合している部分の厚み方向一方側の表面近傍部に、SiCエピタキシャル層(12)よりも第1導電型の不純物の濃度が高い第1導電型SiC領域(16)を形成する。