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Author: patents-wipo
Data
English[en]
A photoelectric conversion element (10) contains a transparent conductive film (11), a p-type amorphous silicon film (12), an i-type amorphous silicon film (13), an n-type single-crystal silicon substrate (14), an i-type amorphous silicon film (15), a p-type amorphous silicon film (16), a transparent conductive film (17), and a metallic film (18); and the film thickness of the transparent conductive film (17) is greater than or equal to that of the transparent conductive film (11).
French[fr]
La présente invention se rapporte à un élément de conversion photoélectrique (10) qui contient un film conducteur transparent (11), un film de silicium amorphe de type p (12), un film de silicium amorphe de type i (13), un substrat de silicium monocristallin de type n (14), un film de silicium amorphe de type i (15), un film de silicium amorphe de type p (16), un film conducteur transparent (17) et un film métallique (18) ; l'épaisseur de film du film conducteur transparent (17) est supérieure ou égale à celle du film conducteur transparent (11).
Japanese[ja]
光電変換素子10は、透明導電膜11、p型非晶質シリコン膜12、i型非晶質シリコン膜13、n型単結晶シリコン基板14、i型非晶質シリコン膜15 、p型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17、金属膜18を含み、透明導電膜17の膜厚は透明導電膜11の膜厚以上である。