Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
There are dangling bonds (33) of silicon atoms (31) on the surface of a silicon nitride film, which is formed as a gate insulating film on a glass substrate, before the formation of a microcrystalline silicon film that constitutes a channel layer.
French[fr]
Selon la présente invention, des liaisons pendantes (33) d'atomes de silicium (31) sont présentes sur la surface d'un film de nitrure de silicium, qui est formé en tant que film isolant de grille sur un substrat en verre, avant la formation d'un film de silicium microcristallin qui constitue une couche de canal.
Japanese[ja]
ガラス基板上にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を成膜した後であって、チャネル層となる微結晶シリコン膜を成膜する前の窒化シリコン膜の表面には、シリコン原子(31)の未結合手(33)が存在する。 そこで、窒化シリコン膜の表面にアンモニアプラズマ処理を施す。