Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The EUV-lithography reflection-type mask blank, which has a reflection layer that reflects EUV light, and the absorber layer that absorbs EUV light, formed in this order, is characterized in that the aforementioned absorber layer contains palladium (Pd), and at least one member selected from the group consisting of molybdenum (Mo), tin (Sn), silver (Ag), niobium (Nb), and titanium (Ti).
French[fr]
L'ébauche de masque de type à réflexion pour lithographie EUV, qui comprend une couche réfléchissante qui réfléchit la lumière EUV et la couche d'absorption qui absorbe la lumière EUV, formées dans cet ordre, est caractérisée en ce que la couche d'absorption susmentionnée contient du palladium (Pd), et au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le molybdène (Mo), l'étain (Sn), l'argent (Ag), le niobium (Nb) et le titane (Ti).
Japanese[ja]
基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、モリブデン(Mo)、錫(Sn)、銀(Ag)、ニオブ(Nb)およびチタン(Ti)からなる群から選ばれる少なくとも1つと、パラジウム(Pd)と、を含有することを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。