Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The ratio of Ga/(In+Ga) at the electrode layer and at the interface of the CIGS light absorption layer is 0.45 or higher.
French[fr]
Le ratio Ga/(In+Ga) au niveau de la couche d'électrode et au niveau de l'interface de la couche d'absorption de lumière au CIGS est supérieur ou égal à 0,45.
Korean[ko]
본 발명은, 3단계 동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을 형성하는 과정에서 제1단계의 Ga 증발량을 늘림으로써, Na의 농도가 낮은 기판 위에 형성되어 공핍층의 깊이가 깊은 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.