Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The electron injection layer is composed of an n-type chalcogenide semiconductor having an optical band gap of at least 2.1 eV.
French[fr]
La couche d'injection d'électrons est composée d'un semi-conducteur de chalcogénure de type n ayant une bande interdite optique d'au moins 2,1 eV.
Japanese[ja]
また、本発明の有機EL素子の製造方法は、n型カルコゲナイド半導体からなる電子注入層を、プラズマ放電を用いない物理気相成長法で形成することを特徴とする。