Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a junction barrier Schottky diode and a junction barrier Schottky diode manufactured thereby, and, more particularly, to a junction barrier Schottky diode using a Schottky contact and a junction barrier Schottky diode manufactured thereby.
French[fr]
La présente invention concerne une diode Schottky à barrière de jonction et une diode Schottky à barrière de jonction ainsi fabriquée, et, plus particulièrement, une diode Schottky à barrière de jonction utilisant un contact de Schottky et une diode Schottky à barrière de jonction ainsi fabriquée.
Korean[ko]
본 발명은 접합 장벽 쇼트키 다이오드 및 이에 의해 제조된 접합 장벽 쇼트키 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쇼트기 접합(SCHOTTKY CONTACT)을 이용한 접합 장벽 쇼트키 다이오드 및 이에 의해 제조된 접합 장벽 쇼트키 다이오드에 관한 것이다.