Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In a laser annealing system for workpieces such as semiconductor wafers, a pyrometer wavelength response band is established within a narrow window lying between the laser emission band and a fluorescence emission band from the optical components of the laser system, the pyrometer response band lying in a wavelength region at which the optical absorber layer on the workpiece has an optical absorption coefficient as great as or greater than the underlying workpiece.
French[fr]
Dans un tel système, une bande de réponse de longueur d'onde de pyromètre est établie dans une fenêtre étroite se trouvant entre la bande d'émission laser et une bande d'émission de fluorescence par rapport aux composants optiques du système laser, la bande de réponse de pyromètre se trouvant dans une région de longueur d'onde à laquelle la couche absorbante optique sur la pièce à usiner a un coefficient d'absorption optique aussi important, ou supérieur à la pièce à usiner sous-jacente.