Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Ausgangspunkt war ein Fertigungsschema auf der Basis eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors, das Metall-Gatter auf einer dünnen Schicht von Siliziumdioxid (SiO2) verwendet, um Quantenpunkte elektrostatisch zu definieren.
English[en]
The starting point was a metal-oxide semiconductor field-effect transistor-based fabrication scheme that uses metal gates on top of a thin silicon dioxide (SiO2) layer to define quantum dots electrostatically.
Spanish[es]
El punto de partida fue un método de fabricación basado en transistores de efecto campo de semiconductor complementario de óxido metálico, en el que se utilizan puertas metálicas fabricadas sobre una lámina delgada de dióxido de silicio (SiO2) para definir puntos cuánticos electrostáticamente.
French[fr]
Le point de départ était un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde exploitant une grille métallique superposée à un substrat de dioxyde de silicium (SiO2) afin de définir les points quantiques de manière électrostatique.
Italian[it]
Il punto di partenza era un schema di costruzione basato su transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo che utilizza gate metallici su uno strato sottile di biossido di silicio (SiO2) per definire elettrostaticamente i punti quantici.
Polish[pl]
Punktem wyjścia była technologia produkcji tranzystorów polowych o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), w której wykorzystuje się bramki metaliczne na cienkiej warstwie dwutlenku krzemu (SiO2) w celu zdefiniowania elektrostatyczności kropek kwantowych.