Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A channel protection film (25), which is formed from a material different from that of the interlayer insulating film (17), is provided between the second oxide semiconductor layer (13b) and the interlayer insulating film (17) in the second channel region (Cb) of the second oxide semiconductor layer (13b).
French[fr]
Un film de protection de canal (25), formé à partir d'un matériau différent de celui du film intercalaire isolant (17), est disposé entre la deuxième couche semi-conductrice d'oxyde (13b) et le film intercalaire isolant (17) dans la deuxième région de canal (Cb) de la deuxième couche semi-conductrice d'oxyde (13b).
Japanese[ja]
そして、第2の酸化物半導体層(13b)と層間絶縁膜(17)との間であって、第2の酸化物半導体層(13b)の第2のチャネル領域(Cb)に、層間絶縁膜(17)と異なる材料により形成されたチャネル保護膜(25)が設けられている。