Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Specifically disclosed is a thin film transistor (semiconductor device) (60) which comprises a gate electrode (65), a semiconductor film (67), and a gate insulating film (66) formed between the gate electrode (65) and the semiconductor film (67).
French[fr]
L'invention porte spécifiquement sur un transistor en couche mince (dispositif à semi-conducteurs) (60) qui comprend une électrode de grille (65), un film semi-conducteur (67) et un film isolant de grille (66) formé entre l'électrode de grille (65) et le film semi-conducteur (67).
Japanese[ja]
本発明の薄膜トランジスタ(半導体装置)60は、ゲート電極65と、半導体膜67と、前記ゲート電極65と前記半導体膜67との間に形成されたゲート絶縁膜66と、を備え、前記ゲート絶縁膜66が、前記ゲート電極65側から第1ゲート絶縁膜66aと第2ゲート絶縁膜66bを有してなり、前記第1ゲート絶縁膜66aは、前記第2ゲート絶縁膜66bよりも相対的にゲート電極65からゲート絶縁膜66への電子のトラップが少なく、前記第2ゲート絶縁膜66bは、前記第1ゲート絶縁膜66aよりも相対的にゲート絶縁膜66から半導体層67への電子のトラップが少ないことを特徴とする。