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Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a preparation method of a semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device prepared thereby, wherein the semiconductor light emitting device has an active layer, and a preparation method of the active layer comprising the following steps of: repeatedly laminating an InN-dominant thin film and a GaN-dominant thin film by turns; and increasing the temperature and heat treating the alternately and repeatedly laminated InN-dominant thin films and GaN-dominant thin films to form an InxGa1-xN (0
French[fr]
La présente invention porte sur un procédé de préparation d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, et sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteur préparé par ce procédé, où le dispositif électroluminescent à semi-conducteur possède une couche active, et sur un procédé de préparation de la couche active, comprenant les étapes suivantes : lamination tour à tour de manière répétée, d'une couche mince InN-dominante et d'une couche mince GaN-dominante ; et élévation de la température et traitement thermique des couches minces InN-dominantes et des couches minces GaN-dominantes laminées tour à tour et d'une manière répétée, pour former un point quantique InxGa1-xN (0
Korean[ko]
본 발명은 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 발광소자는 활성층을 가지고, 활성층의 형성은: InN가 지배적인 박막과 GaN이 지배적인 박막을 교대로 반복 적층하는 단계; 그리고, 교대로 반복 적층된 InN가 지배적인 박막과 GaN이 지배적인 박막에 승온 열처리하여 InxGa1-xN(0