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Author: WikiMatrix
Data
Spanish[es]
Pero, si continuamos aumentando todavía más la tensión, el condensador MOS necesita más carga, que los huecos ya no pueden proporcionarle, por lo que aparecen electrones en la banda de conducción, a pesar de ser el sustrato tipo pp. Este fenómeno se llama inversión y permite formar canales tipo n dentro de semiconductores pp. Cuanto más aumentamos la tensión, mayor carga introducimos y más avanza la capa de inversión dentro del sustrato, con lo que la zona bajo la compuerta se va haciendo cada vez más conductora.
Portuguese[pt]
Mas, se continuamos aumentando ainda mais a tensão, o condensador MOS precisa mais carga, que as lacunas já não podem lhe proporcionar, pelo que aparecem elétrons na banda de condução, apesar de ser o susbtrato tipo pp. Este fenómeno chama-se inversão e permite formar canais tipo n dentro de semicondutores pp. Quanto mais aumentamos a tensão, maior carga introduzimos e mais avança a capa de investimento dentro do substrato, com o que a zona baixo a porta se vai fazendo a cada vez mais condutora.