Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In one embodiment, provided is a Ga2O3 MISFET (10) having: a β-Ga2O3 monocrystalline layer (3) formed on a high-resistance β-Ga2O3 substrate (2); a source electrode (12) and drain electrode (13) formed on the β-Ga2O3 monocrystalline layer (3); a gate electrode (11) formed between the source electrode (12) and drain electrode (13) on the β-Ga2O3 monocrystalline layer (3); and an insulating film (16) that has an oxide insulator as the primary component and that covers the surface of the β-Ga2O3 monocrystalline layer (3) at the region between the drain electrode (13) and the gate electrode (11) and the region between the gate electrode (11)and the source electrode (12).
French[fr]
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un MISFET Ga2O3 ayant : une couche monocristalline β-Ga2O3 (3) formée sur un substrat à haute résistance β-Ga2O3 (2); une électrode source (12) et une électrode drain (13) formées sur la couche monocristalline β-Ga2O3 (3); une électrode grille (11) formée entre l'électrode source (12) et l'électrode drain (13) sur la couche monocristalline β-Ga2O3 (3); et un film isolant (16) qui a un isolateur d'oxyde en tant que composant primaire et qui recouvre la surface de la couche monocristalline β-Ga2O3 (3) dans la zone située entre l'électrode drain (13) et l'électrode grille (11) et dans la zone située entre l'électrode grille (11) et l'électrode source (12).
Japanese[ja]
一実施の形態として、高抵抗β-Ga2O3基板2上に形成されたβ-Ga2O3単結晶層3と、β-Ga2O3単結晶層3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、β-Ga2O3単結晶層3上のソース電極12とドレイン電極13との間に形成されたゲート電極11と、β-Ga2O3単結晶層3の表面のソース電極12とゲート電極11との間の領域及びゲート電極11とドレイン電極13との間の領域を覆う、酸化物絶縁体を主成分とする絶縁膜16と、を有するGa2O3系MISFET10を提供する。