Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
An impurity for forming a source/drain region of the MOS transistor is introduced by using a gate electrode layer (GE) and the side wall (SW) as a mask.
French[fr]
Une impureté permettant de former une région de source/drain du transistor MOS est introduite en utilisant une couche d'électrode de grille (GE) et la paroi latérale (SW) en tant que masque.
Japanese[ja]
ゲート電極層(GE)およびサイドウォール(SW)をマスクとして、MOSトランジスタのソース/ドレイン領域を形成するために不純物が導入される。