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Author: patents-wipo
Data
English[en]
Disclosed is a method for manufacturing a bonded wafer, in which an ion injection layer is formed in a bond wafer, the surfaces of the bond wafer and a base wafer are bonded together, and planarizing treatment of a detachment surface is performed after the bond wafer is detached at the ion injection layer, wherein a silicon single-crystal wafer having a resistivity of 0.2 Ωcm or less in the region where the ion injection layer is formed is employed as the bond wafer, the ion injection layer is formed in which the dosage of ions that form the ion injection layer is 4×1016/cm2 or less, and the planarizing treatment for the detachment surface is performed by means of heat treatment in an atmosphere containing HCl gas.
French[fr]
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche collée, comportant les étapes suivantes : une couche d'injection d'ions est formée dans une tranche de liaison ; les surfaces de la tranche de liaison et d'une tranche de base sont collées l'une à l'autre et un traitement d'aplanissement d'une surface de détachement est effectué après que la tranche de liaison a été détachée au niveau de la couche d'injection d'ions ; une tranche monocristalline en silicium présentant une résistivité de 0,2 Ωcm ou moins dans la région où est formée la couche d'injection d'ions est employée comme tranche de liaison ; la couche d'injection d'ions est formée, le dosage d'ions formant ladite couche d'injection d'ions étant au plus de 4×1016/cm2 ; et le traitement d'aplanissement de la surface de détachement est effectué par un traitement thermique sous une atmosphère contenant du gaz HCl.
Japanese[ja]
本発明は、ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハとベースウェーハの表面とを貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させた後、剥離面の平坦化処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハとして、イオン注入層を形成する領域の抵抗率が0. 2Ωcm以下のシリコン単結晶ウェーハを用い、イオン注入層を形成するイオンのドーズ量を、4×1016/cm2以下としてイオン注入層を形成し、剥離面の平坦化処理をHClガスを含む雰囲気中で熱処理することによって行う貼り合わせウェーハの製造方法である。