photocathode oor Fins

photocathode

naamwoord

(physics) A cathode that emits electrons when exposed to light

Vertalings in die woordeboek Engels - Fins

fotokatodi

naamwoord

voorbeelde

GaAs or GaInAs photocathodes; or
GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai

b. gate silicon intensifier target (SIT) videcon tubes, where a fast system allows gating the photoelectrons from the photocathode before they impinge on the SIT plate;
b. Piitehostinkohtiolevyllä (SIT = Silicon Intensifier Target) varustetut hilakameraputket, joiden nopeatoiminen järjestelmä mahdollistaa valokatodilta tulevien valosähköisten elektronien veräjöinnin ennen niiden iskeytymistä SIT-levylle;

Any of the following photocathodes:
Jokin seuraavista valokatodeista:

Compound semiconductor photocathodes
Yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit

Use of potassium chromate in alkali metal dispensers in the production of photocathodes.
Kaliumkromaatin käyttö alkalimetalliannostelijassa valokatodien valmistuksessa.

a. photocathode area of greater than 20 cm2; and
a. valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja

Compound semiconductor photocathodes
Yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit.

Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum "radiant sensitivity" exceeding 10 mA/W;
Muut ”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 10 mA/W;

Elimination or substitution of hexavalent chromium in the fabrication process of photocathodes is not possible as at present substitutes and alternative technologies are not sufficiently reliable or available to cover the full product demand range.
Kuudenarvoisen kromin poistaminen tai korvaaminen valokatodien valmistusprosessista ei ole tällä hetkellä mahdollista, koska nykyiset korvaavat aineet ja vaihtoehtoiset teknologiat eivät ole riittävän luotettavia tai niitä ei ole saatavilla koko tuotevalikoiman kattamiseksi.

Photomultiplier consisting of a photocathode tube with 9 or 10 diodes, for light of a wavelength of 160 nm or more but not more than 930 nm, of a diameter of not more than 14 mm and a height of not more than 94 mm
Fotomonistin, jossa on 9 tai 10 dyodilla varustettu valokatodiputki, valolle, jonka aallonpituus on vähintään 160 nm, mutta enintään 930 nm, läpimitta enintään 14 mm ja korkeus enintään 94 mm

Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
Huom: 6A002.a.2.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän.

Photomultiplier consisting of a photocathode tube with 9 diodes or 10 diodes, for light of a wavelength of 160 nm or more but not more than 930 nm, of a diameter of not more than 14 mm and a height of not more than 94 mm
Fotomonistin, jossa on 9 dyodilla tai 10 dyodilla varustettu valokatodiputki, valolle, jonka aallonpituus on vähintään 160 nm, mutta enintään 930 nm, läpimitta enintään 14 mm ja korkeus enintään 94 mm

Proximity focused image intensifier tubes having the photocathode deposited on a transparent conductive coating to decrease photocathode sheet resistance;
Lähitarkenteiset kuvantehostinputket, joissa valokatodi on muodostettu läpinäkyvälle johtavalle pinnoitteelle valokatodin pintavastuksen pienentämiseksi;

6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
6A002.a.2.c.3. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi säteilynherkkyys on jokin seuraavista:

c. other III-V compound semiconductor photocathodes;
c. Muut III–V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit;

6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
6A002.a.2.a.3.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän.

“III/V compound” semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 15 mA/W;
”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 15 mA/W;

Photocathode area of greater than 20 cm2; and
Valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja

Note: 6A002.c. does not control equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:
Huom. 6A002.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai GaInAs-valokatodeja:

“III/V compound” semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
”III/V-yhdiste” puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;

Compound semiconductor photocathodes.
Yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit.