3C005Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10 000 ohm-cm at 20 °C.
In zaak C-#/#, betreffende een beroep wegens niet-nakoming krachtens artikel # EG, ingesteld op # juli #, Commissie van de Europese Gemeenschappen (gemachtigden: L. Ström van Lier en N. Yerrel) tegen Koninkrijk Zweden (gemachtigde: A. Kruse), heeft het Hof (Zesde kamer), samengesteld als volgt: A. Borg Barthet (rapporteur), kamerpresident, U. Lõhmus en A. Ó Caoimh, rechters; advocaat-generaal: M. Poiares Maduro; griffier: R. Grass, op # mei # een arrest gewezen waarvan het dictum luidt als volgtEurLex-2 EurLex-2