memoria de acceso aleatorio de semiconductores oor Engels

memoria de acceso aleatorio de semiconductores

Vertalings in die woordeboek Spaans - Engels

semiconductor RAM

semiconductor random access memory

voorbeelde

Dispositivos de memoria para ordenadores, circuitos de memoria de acceso aleatorio, chips: dispositivos semiconductores, circuitos integrados, tarjetas de circuitos electrónicos, microprocesadores y monitores para ordenador
Computer memory devices, random access memory circuits, chips: semiconductor devices, integrated circuits, electronic circuit boards, microprocessors and computer monitors

(52) Informe del Órgano de Apelación de 21 de febrero de 2005, «Estados Unidos – Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea», WT/DS/296, apartado 116.
(52) WT/DS/296 (DS296 United States – Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea), Appellate Body Report of 21 February 2005, para.116.

(13) Informe del Órgano de Apelación, de 21 de febrero de 2005, DS296, Estados Unidos-Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea, apartados 110-111.
(13) Appellate Body Report of 21 February 2005, DS296 United States — Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea, paragraphs 110-111.

(18) WT/DS296/AB/R, de 27 de junio de 2005, Estados Unidos — Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea, apartado 7.38.
(18) WT/DS296/AB/R of 27 June 2005, United States – Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMs) from Korea, para 7.38.

(17) WT/DS296/AB/R, de 27 de junio de 2005, Estados Unidos — Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea, apartados 110 y 111.
(17) WT/DS296/AB/R of 27 June 2005, United States – Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMs) from Korea, para 110 and 111.

Véase Informe del Grupo Especial de Solución de Diferencias de la OMC, Estados Unidos- Imposición de derechos antidumping a los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAMS) de un megabit como mínimo procedentes de Corea # de enero de
See WTO Dispute Settlement Panel Report, United States- Anti-Dumping Duty on Dynamic Random Access Memory Semiconductor (DRAMS) of one megabit or above from Korea # anuary

Memorias y módulos de memoria para ordenadores y otros dispositivos electrónicos, en concreto, tarjetas de memoria, tarjetas de memoria flash, discos de memoria flash, módulos DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio), módulos RAM (memoria de acceso aleatorio), memorias para ordenadores, memorias de datos, unidades de memoria hechas de materiales semiconductores, memorias de disco
Memories and memory modules for computers and other electronic devices, namely, memory cards, flash memory cards, flash memory disks, DRAM (dynamic random access memory) modules, RAM (random access memory) modules, computer memories, data memories, semi-conductor memory units, disc memories

Diseño y desarrollo de circuitos de semiconductores de metal-óxido (MOS), módulos de circuitos integrados de múltiples chips, sensores eléctricos o electrónicos para baja intensidad, aceleración, compresión, presión y distancia, microsistemas que consisten principalmente en microprocesadores y microcomputadoras, circuitos integrados personalizados del tipo de circuitos integrados específicos de aplicaciones (ASIC), circuitos integrados del tipo de productos electrónicos estándar específicos de aplicaciones (ASSP), circuitos integrados de memoria del tipo de circuitos de memoria de acceso aleatorio estática, circuitos de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) y circuitos de memoria de acceso aleatorio estáticos que no sean volátiles (NVSRAM), módulos de expansión de memoria y discos semiconductores estructurados
Design and development of metal-oxide-semiconductor (MOS) circuits, multi-chip integrated circuit modules, electric and/or electronic sensors for light intensity, acceleration, compression, pressure, and distance, microsystems consisting primarily of micro-processors and micro-computers, customized integrated circuits in the nature of application-specific integrated circuits (ASICs), integrated circuits in the nature of application-specific standard electronic products (ASSPs), memory integrated circuits in the nature of static random access memory (SRAM) circuits, dynamic random access memory (DRAM) circuits, and non-volatile static random access memory (NVSRAM) circuits, memory expansion modules, and structured semi-conductor discs

Informe del Órgano de Apelación de la OMC, Estados Unidos- Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea # de junio de # párr # (se omiten las notas
WTO Appellate Body Report, United States- Countervailing Duty Investigation on Dynamic Random Access Memory Semiconductors (DRAMS) from Korea # une # para # (footnotes omitted

Hardware informático y software, memorias y módulos de memoria para ordenadores y otros dispositivos electrónicos, en particular, tarjetas de memoria, tarjetas de memoria flash, discos de memoria flash, tarjetas DRAM (memorias dinámicas de acceso aleatorio), tarjetas RAM (memorias de acceso aleatorio), memorias de ordenador, memorias de datos, memorias electrónicas, unidades de memoria hechas de materiales semiconductores, tarjetas digitales, tarjetas de soporte digital
Computer hardware and software, memories and memory modules for computers and other electronic devices in particular, memory cards, flash memory cards, flash memory disks, DRAM (dynamic random access memory) cards, RAM (random access memory) cards, computer memories, data memories, electronic memories, semi-conductor memory units, digital cards, digital memory cards

Memorias para ordenadores, tarjetas RAM (memorias de acceso aleatorio), microprocesadores, memorias electrónicas, memorias semiconductoras, unidades de memoria de semiconductores, tarjetas de memoria flash, dispositivos periféricos, chips de silicio, semiconductores, circuitos integrados, dispositivos de almacenamiento extraíbles, unidades de estado sólido, tarjetas de circuitos integrados, interfaces (para ordenadores), ratón (equipos para el tratamiento de la información y el proceso de datos), circuitos impresos, procesadores (unidades centrales de proceso)
Computer memories, RAM (random access memory) cards, microprocessors, electronic memories, semi-conductor memories, semi-conductor memory units, flash memory cards, compute peripheral devices, silicon chips, semi-conductors, integrated circuits, removable storage devices, solid state drives, integrated circuit cards, interfaces (for computers), mouse (data processing equipment), printed circuits, processors (central processing units)

Según el informe del Órgano de Apelación de la OMC «Estados Unidos, Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea» (22), un gobierno «encomienda» cuando otorga responsabilidad a una entidad privada y «ordena» cuando ejerce su autoridad sobre una entidad privada.
According to the WTO Appellate Body Report ‘United States – Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea’ (22); ‘entrustment’ occurs where a government gives responsibility to a private body and ‘direction’ refers to situations where the government exercises its authority over a private body.

El Grupo Especial de la OMC sobre DRAMS (semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio) ha aceptado esta interpretación
This has been upheld by the WTO panel on DRAMS (Dynamic Random Access Memory Semiconductors

(20) WT/DS/296 (DS 296 Estados Unidos-Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea), Informe del Órgano de Apelación de 21 de febrero de 2005, apartado 116.
(20) WT/DS/296 (DS296 United States — Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea), Appellate Body Report of 21 February 2005, para.116.

(22) WT/DS/296 (DS 296 Estados Unidos, Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea), Informe del Órgano de Apelación de 21 de febrero de 2005, apartado 116.
(22) WT/DS/296 (DS296 United States – Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea), Appellate Body Report of 21 February 2005, para. 116.

(68) WT/DS/296 (DS 296 Estados Unidos – Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea), Informe del Órgano de Apelación de 21 de febrero de 2005, apartado 116.
(68) WT/DS/296 (DS296 United States – Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea), Appellate Body Report of 21 February 2005, para.116.

(44) WT/DS/296 (DS 296 Estados Unidos, Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea), Informe del Órgano de Apelación de 21 de febrero de 2005, apartado 116.
(44) WT/DS/296 (DS296 United States – Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea), Appellate Body Report of 21 February 2005, para.116.

Hardware informático y software, memorias y módulos de memoria para ordenadores y otros dispositivos electrónicos en particular: tarjetas de memoria, tarjetas de memoria flash, discos de memoria flash, tarjetas DRAM (memoria de acceso aleatorio), RAM (memoria de acceso aleatorio), memorias para ordenadores, memorias de datos, memorias electrónicas, unidades de memoria hechas de materiales semiconductores, tarjetas digitales, tarjetas de soporte digital, memorias de disco, dispositivos de memoria, aparatos de memoria, unidades de disco compacto de memoria de solo lectura, unidades de disco para ordenadores, unidades de disco magnético, aparatos de lectura y grabación de discos ópticos, aparatos de lectura para tarjetas, discos y cintas magnéticos
Computer hardware and software, memories and memory modules for computers and other electronic devices in particular: memory cards, flash memory cards, flash memory disks, DRAM (dynamic random access memory) cards, RAM (random access memory) cards, computer memories, data memories, electronic memories, semi-conductor memory units, digital cards, digital memory cards, disc memories, memory devices, memory apparatus, compact disc read-only memory drives, disc drives for computers, magnetic disk drives, optical disc reading and recording apparatus, reading apparatus for magnetic cards, disks and tapes

Efectivamente, a su juicio, lo que la Comisión hubiera debido examinar es si el suministro de mineral de hierro por parte de las empresas mineras indias a dicha industria era «involuntario» o si dicho suministro constituía una «mera consecuencia de la normativa gubernamental», según los términos utilizados en el párrafo 114 del informe del Órgano de Apelación del Órgano de Solución de Diferencias de la OMC adoptado el 20 de julio de 2005, con respecto a la diferencia Estados Unidos — Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea (WT/DS296/AB/R).
It should have examined whether the supply of iron ore by Indian mining companies to that industry was ‘inadvertent’ or whether that supply constituted a mere ‘by-product of governmental regulation’, in accordance with the wording used in paragraph 114 of the report of the Appellate Body of the WTO Dispute Settlement Body adopted on 20 July 2005 in the dispute entitled ‘United States — Countervailing duty investigation on Dynamic Random Access Memory (DRAMS) from Korea’ (WT/DS 296/AB/R).

El acuerdo comprende los semiconductores de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y de memoria de sólo lectura con capacidad de cambio instantáneo de programas (Flash EPROM).
The agreement covers Dynamic Random Access Memories (DRAMs) and Flash Erasable Programmable Read-Only Memories (Flash EPROMs) semiconductors.

En las computadoras modernas, la memoria principal consiste casi exclusivamente en memoria de semiconductor volátil y dinámica, también conocida como memoria dinámica de acceso aleatorio o más comúnmente RAM, su acrónimo inglés.
In modern computers, primary storage almost exclusively consists of dynamic volatile semiconductor memory or dynamic random-access memory.

Las autoridades chinas alegaron que la Comisión no había constatado que el Gobierno chino tuviera el propósito específico de aportar una contribución financiera real en el caso del suministro de HRS y CRS, según lo establecido en el informe del OA en el caso «Estados Unidos — Investigación en materia de derechos compensatorios sobre los semiconductores para memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) procedentes de Corea» (97).
GOC claimed that the Commission did not make a finding that there is a specific intent by the GOC to provide actual financial contribution at issue in the case of provision of HRS and CRS as prescribed by the AB report in US –Countervailing Duty Investigation on DRAMS from Korea (97).