mémoire non volatile
비휘발성 메모리 · 비휘발성 저장소
mémoire volatile oor Koreaans
mémoire volatile
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휘발성 메모리
Système de mémoire comportant une mémoire non volatile et une mémoire volatile, et procédé de traitement utilisant ledit système de mémoire
비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템 및 그 시스템을 이용한 처리 방법
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Élément de mémoire non volatile, système de commande électronique, et procédé d'exploitation de l'élément de mémoire non volatile
비휘발성 메모리 소자, 전자제어 시스템, 및 비휘발성 메모리 소자의 동작방법patents-wipo patents-wipo
Système de mémoire comportant une mémoire non volatile et une mémoire volatile, et procédé de traitement utilisant ledit système de mémoire
비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템 및 그 시스템을 이용한 처리 방법patents-wipo patents-wipo
Dispositif de mémoire non volatile et procédés permettant d'enregistrer et de lire des informations sur un dispositif de mémoire non volatile
비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과 정보판독방법patents-wipo patents-wipo
Système et procédé informatique pour la mise en œuvre sélective de persistance du processus utilisant une mémoire vive non volatile et une mémoire vive volatile
NVRAM과 휘발성 램을 이용하여 선택적으로 프로세스의 영속성을 구현하는 컴퓨팅 시스템 및 방법patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un dispositif de mémoire non volatile et des procédés permettant d'enregistrer et de lire les informations sur le dispositif de mémoire non volatile.
비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과 정보판독방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자는 하부 전극과 상부 전극 사이에 개재된 메모리층을 구비한다.patents-wipo patents-wipo
Le dispositif de mémoire non volatile selon la présente invention comprend une couche mémoire placée entre les électrodes inférieure et supérieure.
메모리층은 강유전체로 이루어지며, 잔류 분극(remanent polarization)의 극성에 따라 정보를 저장하는 정보저장층과, 절연체로 이루어지며, 강유전체가 분극반전되는 경우에는 저항 특성을 나타내고, 강유전체가 분극반전되지 않거나 강유전체가 분극반전 된 후에는 커패시터 특성을 나타내는 스위칭층을 구비한다.patents-wipo patents-wipo
Dispositif mémoire non volatile
비휘발성 메모리 소자patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un dispositif de mémoire non volatile, ainsi qu'un procédé de fabrication associé.
본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.patents-wipo patents-wipo
Système à mémoire non volatile
비휘발성 메모리 시스템patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne une mémoire non volatile et son procédé de fabrication.
본 발명은 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법을 공개한다.patents-wipo patents-wipo
Programme automatique de mémoire non volatile et procédé de cyclage automatique de ce dernier
불휘발성 메모리의 자동 프로그램 및 자동 사이클링 방법patents-wipo patents-wipo
Système de mémoire non volatile et son procédé de programmation
비휘발성 메모리 시스템 및 이를 프로그램하는 방법patents-wipo patents-wipo
Dispositif à mémoire non volatile à base de nanocomposite et son procédé de fabrication
나노복합체 기반 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법patents-wipo patents-wipo
Mémoire non volatile et son procédé de fabrication
비휘발성 메모리 및 그 제조 방법patents-wipo patents-wipo
Dispositif de mémoire non volatile utilisant un matériau à commutation par tension de seuil, et procédé de fabrication associé
문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법patents-wipo patents-wipo
3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint »,) est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en juillet 2015.
3D XPoint('스리디 크로스포인트'로 발음)는 인텔과 마이크론이 2015년 7월에 발표한 비휘발성 메모리 기술이다.WikiMatrix WikiMatrix
Ainsi, le système de mémoire non volatile peut fonctionner rapidement et peut empêcher une perte de données lorsqu'une coupure d'alimentation soudaine survient.
이에, 비휘발성 메모리 시스템은 고속으로 동작할 수 있고, 서든 파워 오프 발생시 데이터 유실을 방지할 수 있다.patents-wipo patents-wipo
Elle n'est pas compatible avec les formats DDR1, no DDR2, mais peut assister soit : LPDDR2-S2: 2e mémoire de préchargement (comme DDR1) ; LPDDR2-S4: 44 mémoire de préchargement (comme DDR2) ; LPDDR2-N: mémoire non-volatile (Mémoire flash NAND).
이것은 DDR1이나 DDR2와는 호환되지 않는 규격이지만 아래와 같은 메모리와 호환된다.: LPDDR2-S2: 2n prefetch 메모리 (DDR1과 같은 종류), LPDDR2-S4: 4n prefetch 메모리 (DDR2와 같은 종류), 또는 LPDDR2-N: 비휘발성 (NAND 플래시) 메모리.WikiMatrix WikiMatrix
En conséquence, la mémoire non volatile, qui a un nombre limité d'écritures/lectures, telle que la PRAM, peut être exploitée de manière plus efficace.
이에 의해, PRAM 등 쓰기/읽기 횟수가 제한적인 비휘발성 메모리를 보다 효과적으로 운용할 수 있게 된다.patents-wipo patents-wipo
Selon la présente invention, il est possible d'obtenir un dispositif à mémoire non volatile possédant un meilleur rapport ON/OFF, ce qui réduit ainsi sensiblement les erreurs de détection résultant du bruit faible d'un circuit, et une mémoire non volatile peut être facilement fabriquée à des coûts comparativement bas.
기판, 상기 기판 상에 형성된 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되고 다결정성 4원소 나노복합체가 분산된 절연성 유기물질로 이루어진 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 나노복합체 기반 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 증가된 ON/OFF 비율을 갖고 있어 회로의 작은 노이즈로 인한 센싱 오류를 획기적으로 줄일 수 있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있으며, 비교적 저비용으로 손쉽게 비휘발성 메모리 소자를 제조할 수 있다.patents-wipo patents-wipo
La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile.
에프램 또는 강유전체 램(Ferroelectric Random Access Memory:FRAM ,F-RAM, 또는 FeRAM)은 비휘발성 컴퓨터 메모리의 한 종류이다.WikiMatrix WikiMatrix
La présente invention concerne un module disque qui peut être transformé et utilisé en tant que dispositif de mémoire pour un hôte au moyen d'une multiplicité de mémoires non volatiles portatives.
본 발명은 다수의 휴대용 비휘발성 메모리를 이용하여 호스트의 저장장치로 전환하여 사용할 수 있는 디스크 모듈을 제안한다.patents-wipo patents-wipo
Dispositif de mémoire de fusion, non-volatile et multifonction, et procédé de fabrication correspondant
멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법patents-wipo patents-wipo
Dispositif de mémoire multibit et non-volatile pourvue d'une grille tridimensionnelle, et procédé de fabrication correspondant
3차원 게이트를 갖는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법patents-wipo patents-wipo
Dispositif de mémoire de fusion non volatile multifonction 4 bits/1 cellule et son procédé de fabrication.
멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법patents-wipo patents-wipo
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