Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode oor Tsjeggies
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
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IGBT
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Podávání přípravku Copalia dětem a mladistým se nedoporučujeEuroParl2021 EuroParl2021
— nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und
Má větší právo tu bejt než tyeurlex-diff-2017 eurlex-diff-2017
nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und
Do Výboru regionů jsou na zbývající část funkčního období, tedy do #. ledna #, jmenovániEurlex2019 Eurlex2019
— nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und
VKM může být převedeno na jiného držitele, který je právním nástupcem původního držitele. VKM zůstává v platnosti, pokud držitel změnísvůj název na název, který není podobný VKMEurLex-2 EurLex-2
ex 8504 40 90 | 40 | Halbleiter-Leistungsmodul, mit: — Leistungstransistoren — Integrierten Schaltkreisen — auch mit Dioden und Thermistoren — einer Betriebsspannung von nicht mehr als 600 V — nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und — einer RMS-Leistung von nicht mehr als 15,7 A | 0 % | 31.12.2013 |
Místo někoho jinéhoEurLex-2 EurLex-2
*ex 8504 40 90 | 40 | Halbleiter-Leistungsmodul, mit: — Leistungstransistoren — Integrierten Schaltkreisen — auch mit Dioden und Thermistoren — einer Betriebsspannung von nicht mehr als 600 V — nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und — einer RMS-Leistung von nicht mehr als 15,7 A | 0 % | 1.7.2010-31.12.2013 |
V různých kulturách nás nazývali různě a teď jsme superhrdinovéEurLex-2 EurLex-2
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