dopant oor Spaans

dopant

naamwoord

A substance added in small amounts to a pure semiconductor material to alter its conductive properties.

Vertalings in die woordeboek Engels - Spaans

dopante

adjektief

An impurity element added to a crystal or semiconductor lattice in low concentrations in order to alter the optical/electrical properties of a semiconductor.

Elemento de impureza agregado a un tramado de cristal o de semiconductor en concentraciones bajas para alterar las características ópticas/eléctricas de un semiconductor.

Using ultraviolet radiation, the Bragg gratings were inscribed on a fluoride fibre with high concentration of cerium dopants.
Utilizando radiación ultravioleta, se inscribieron las rejillas de Bragg sobre una fibra de fluoruro con una alta concentración de cerio como dopante.

impurificador

contaminante

adjective noun

They were thus able to analyse and optimise the effects of various dopants and catalysts on structure and yield.
Por todo ello fue posible analizar y optimizar los efectos de diversos agentes contaminantes y catalizadores sobre la estructura y el rendimiento.

voorbeelde

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4
La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado), incluso ensamblado y/o probado en un país distinto de los citados en los artículos 3 y 4

Among a variety of rare-earth elements, neodymium and dysprosium are widely used as a magnetic material for motors in environmentally friendly vehicles and home appliances, while erbium is used as a dopant in optical fibers and cerium as an abrasive for polishing liquid crystal display (LCD) glass.
Entre las tierras raras, el neodimio y el disprosio se utilizan mucho como material magnético para los motores de vehículos y enseres domésticos respetuosos del medio ambiente, mientras que el erbio se utiliza como dopante en fibras ópticas y el cerio como abrasivo para pulir el vidrio de las pantallas de cristal líquido (LCD).

The effect of dopant atoms, local chemistry and structure complicates the description of proton conductivity and is still not understood for even the simplest systems.
Los átomos dopantes, la química local y la estructura tienen un efecto que dificulta la descripción de la conductividad protónica y que, aun en el caso de sistemas muy sencillos, continúa siendo un enigma.

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party
La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado), estén o no ensamblados y/o probados en un país que no forme parte

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party
la operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado), estén o no ensamblados y/o probados en un país que no forme parte

However, it is expected that future work with dopants will allow overcoming this drawback resulting to a new material filling in the gap between PZT and the Aurivillius compounds (Bi layer oxides).
No obstante, se prevé que el trabajo futuro con dopantes permita superar este inconveniente y se obtenga un nuevo relleno de material en el vacío existente entre los compuestos PZT y los Aurivillius (óxidos de doble capa).

– Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion (in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant), whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
– Circuitos integrados monolíticos | Fabricación en la que: el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40 % del precio franco fábrica del producto, ydentro del límite indicado a continuación, el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10 % del precio franco fábrica del producto.o La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado), incluso ensamblado y/o probado en un país distinto de los citados en los artículos 3 y 4. | Fabricación en la cual el valor de todas las materias utilizadas no sea superior al 25 % del precio franco fábrica del producto |

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi‐conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Article 3
La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado), estén o no ensamblados y/o probados en un país distinto de los contemplados en el artículo 3

- Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: - the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and - within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
- Circuitos integrados monolíticos | Fabricación en la que: - el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40% del precio franco fábrica del producto, y - dentro del límite anterior, el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10% del precio franco fábrica del producto o La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado), incluso ensamblado y/o probado en un país distinto de los citados en los artículos 3 y 4 | Fabricación en la que el valor de todas las materias utilizadas no sea superior al 25% del precio franco fábrica del producto |

- "smart cards" with one electronic integrated circuit | Manufacture in which: - the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and - within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
- "tarjetas inteligentes" con un circuito electrónico integrado | Fabricación en la cual: - el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40 % del precio franco fábrica del producto, y - dentro del límite arriba indicado el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10 % del precio franco fábrica del producto o La operación de difusión, en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado, estén o no ensamblados y/o probados en un país distinto de los contemplados en los artículos 3 y 4 | Fabricación en la cual el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 25 % del precio franco fábrica del producto |

When many more dopant atoms are added, on the order of one per ten thousand atoms, the doping is referred to as high or heavy.
Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado.

The operation of diffusion (in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant), whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4
La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introdución selectiva de un dopante adecuado), estén o no ensamblados y/o probados en un país distinto de los contemplados en los artículos 3 y 4

One important effect of the consumption of silicon is the rearrangement of dopants in the substrate near the interface.
Un efecto importante de este consumo de silicio es el reacomodo de los dopantes en el sustrato cerca de la interfaz.

- proximity cards and "smart cards" with two or more electronic integrated circuits | Manufacture in which: - the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and - within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
- Tarjetas de activación por proximidad y tarjetas inteligentes con dos o más circuitos electrónicos integrados | Fabricación en la que: - el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40% del precio franco fábrica del producto, y - dentro del límite anterior, el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10% del precio franco fábrica del producto o La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado), incluso ensamblado y/o probado en un país distinto de los citados en los artículos 3 y 4 | Fabricación en la que el valor de todas las materias utilizadas no sea superior al 25% del precio franco fábrica del producto |

The nano-rod diameter and dopant (added element to alter electrical properties) concentration for optimum solar cell efficiencies have been derived based on simulations and experiments.
Mediante simulaciones y experimentos, los miembros del consorcio lograron determinar el diámetro de las nanobarras y la concentración del elemento dopante (que se añade para alterar las propiedades eléctricas) para lograr una eficiencia óptima de las células solares.

It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas ( # s), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits
Se utiliza para el procesamiento de cristales de arseniato de galio (como teléfonos móviles, aparatos láser, etc.), como agente impurificador en plaquetas de silicio y para fabricar gas arsina ( # s), que se utiliza para confeccionar materiales superreticulados y circuitos integrados de alto rendimiento

They made cylindrical preforms by depositing purified materials from the vapor phase, adding carefully controlled levels of dopants to make the refractive index of the core slightly higher than that of the cladding, without raising attenuation dramatically.
Hicieron un producto cilíndrico semielborado depositando materiales purificados de la fase de vapor, añadiendo niveles controlados de dopantes para hacer que el índice de refracción del núcleo fuera ligeramente mayor que el del revestimiento, sin incrementar dramáticamente la atenuación.

- Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: - the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and - within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country or territory other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
- Circuitos integrados monolíticos | Fabricación en la que: - el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40 % del precio franco fábrica del producto, y - dentro del límite indicado a continuación, el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10 % del precio franco fábrica del producto. o La operación de difusión en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado, incluso ensamblado y/o probado en un país o territorio distinto de los citados en los artículos 3 y 4. | Fabricación en la que el valor de todas las materias utilizadas no sea superior al 25 % del precio franco fábrica del producto |

Furthermore, whereas modelling dopant effects on bulk crystals requires just a few minutes, modelling fusion materials may take many years.
Además, mientras que la modelización de los efectos de los dopantes en cristales en masa requiere solamente unos pocos minutos, la modelización de los materiales de fusión puede prolongarse muchos años.

In addition, Dopant-Induced Metal-Support Interaction (DIMSI) induces further alterations in the material's chemisorptive and catalytic properties.
Además, la DIMSI (Dopant-Induced Metal-Support Interaction) provoca otras modificaciones en las propiedades catalíticas y de adsorción química.

- Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: - the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and - within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
- Circuitos integrados monolíticos | Fabricación en la cual: - el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 40 % del precio franco fábrica del producto, y - dentro del límite arriba indicado el valor de todas las materias de las partidas 8541 y 8542 utilizadas no exceda del 10 % del precio franco fábrica del producto o La operación de difusión, en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado, estén o no ensamblados y/o probados en un país distinto de los contemplados en los artículos 3 y 4 | Fabricación en la cual el valor de todas las materias utilizadas no exceda del 25 % del precio franco fábrica del producto |

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4
La operación de difusión en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante adecuado, incluso ensamblado y/o probado en un país distinto de los citados en los artículos 3 y 4.

The operation of diffusion (in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant), whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4
La operación de difusión (en la que los circuitos integrados se forman sobre un soporte semiconductor gracias a la introducción selectiva de un dopante adecuado), estén o no ensamblados o probados en un país distinto de los contemplados en los artículos 3 y 4