indium gallium arsenide oor Spaans

indium gallium arsenide

Vertalings in die woordeboek Engels - Spaans

Arseniuro de indio y galio

chemical compound

compuesto químico

voorbeelde

d. Indium Gallium Arsenide (InGaAs) "focal plane arrays"
d. “Conjuntos de plano focal” de arseniuro de galio e indio (InGaAs

Indium Gallium Arsenide (InGaAs) "focal plane arrays".
“Conjuntos de plano focal” de arseniuro de galio e indio (InGaAs).

It's an indium gallium arsenide multiple quantum well.
Son partículas de arseniuro de galio indio.

They were connected to fleetingly coupled indium gallium arsenide (InGaAs) photodetectors using heterogeneous integration technology.
Estos se conectaron a fotodetectores de arseniuro de indio y galio (InGaAs) acoplados momentáneamente mediante tecnología de integración heterogénea.

The pre-competitive prototype substituted an extended indium gallium arsenide sensor for the MCT detector to reduce costs and supply lead time.
En el prototipo, en fase precompetitiva, se sustituyó un sensor ampliado de arseniuro de indio y galio (InGaAs) por el detector MCT para reducir costes y acortar plazos.

The most promising are compound semiconductors based on materials in Groups III-V, including gallium arsenide (GaAs), indium gallium arsenide (InGaAs) and indium phosphide (InP).
El conjunto más prometedor en este sentido son los semiconductores compuestos basados en elementos de los grupos III a V como el arseniuro de galio (GaAs), el arseniuro de indio y galio (InGaAs) y el fosfuro de indio (InP).

Camera composed of Indium Gallium Arsenide Phosphide (InGaAsP), with photocathode electron-bombarded Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS), to capture luminescence spectra of silicon and thin film materials in the infrared wavelength
Cámara compuesta de fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP), con silicio de metal óxido complementario (CMOS) bombardeado con electrones de fotocátodo, para capturar el espectro de luminiscencia del silicio y materiales de película fina en la longitud de onda de infrarrojos

Within CONAT (Conduction mechanisms in advanced MOS technologies), scientists significantly improved understanding of the conduction and degradation mechanisms of new transistor structures relying on the use of indium gallium arsenide (InGaAs) as a substrate.
Gracias al proyecto CONAT (Conduction mechanisms in advanced MOS technologies), fue posible mejorar considerablemente el conocimiento de los mecanismos de conducción y degradación de las estructuras de los nuevos transistores utilizando como sustrato el arseniuro de indio y galio (InGaAs).

These use a combination of several layers of gallium arsenide, indium gallium phosphide, and germanium to capture more energy from the solar spectrum.
Estos utilizan una combinación de varias capas de arseniuro de galio, fosfuro de indio y galio y germanio para capturar más energía del espectro solar.

Cutting machines for semiconductor substrates made of sapphire, silicon, silicon carbide, glass, crystal, lithium tantalite, gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride or aluminum gallium arsenide and bonded wafers of these substances
Máquinas de corte para sustratos semiconductores hechos de zafiro, silicio, carburo de silicio, vidrio, cristal, tantalito de litio, arseniuro de galio, fosfuro de indio, nitruro de galio o arseniuro de galio y aluminio y obleas unidas de estas sustancias

Several laser architectures based on semiconductor optical amplifiers were studied involving use of either indium phosphide or gallium arsenide layer structures.
Se estudiaron varias arquitecturas de láseres basadas en amplificadores ópticos semiconductores con estructuras de capas de fosfuro de indio o arseniuro de galio.

As in the case of indium arsenide (InAs) on gallium arsenide (GaAs), the self-assembly mechanism produces dots with a high degree of uniformity in a single growth step.
Como en el caso del arseniuro de indio (InAs) sobre arseniuro de galio (GaAs), el mecanismo de autoensamblaje genera puntos con un alto grado de uniformidad en un único proceso de crecimiento.

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Los compuestos III/V son productos policristalinos o binarios o monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeleiev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio-aluminio y fosfuro de indio).

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide
Los compuestos III/V son productos policristalinos o binarios o monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeleiev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio y aluminio y fosfuro de indio