The p-type semiconductor layer of a nitride group includes aluminum formed on the doping reinforcing layer to expose at least the electrode forming portion of the doping reinforcing layer.
수리용 원자현미경 탐침이 포토 마스크의 결함 부분에 위치하도록 하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침을 왕복 동작시키는 것에 의하여 상기 포토 마스크의 결함 부분을 제거하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침에 의한 상기 포토 마스크의 수리 과정을 전자현미경으로 관찰하고, 그리고 상기 수리용 원자현미경 탐침과는 다른 관측용 원자현미경 탐침을 사용하여 수리 후의 상기 포토 마스크의 형상을 인-시츄(in-situ)로 확인한다.patents-wipo patents-wipo