electron hole oor Koreaans

electron hole

naamwoord

A vacant position in the atomic lattice of a conductor where an electron would normally be present

Vertalings in die woordeboek Engels - Koreaans

양공

conceptual and mathematical opposite of an electron

정공

홀

naamwoord

voorbeelde

The present invention relates to a semiconductor light-emitting device, and more particularly, to a semiconductor light-emitting device comprising: a substrate; an active layer which is formed on the substrate, and which generates light through electron-hole recombination; and a plurality of blocks formed beneath the substrate.
본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판; 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층; 그리고, 기판 아래에 형성되는 복수개의 블럭;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Electron withdrawing groups or donating groups can be attached that facilitate hole or electron transport.
전자를 끄는 그룹이나 주는 그룹은 전자홀이나 전자가 이동하기 쉽게 붙일 수 있다.

The missing electrons are called holes.
이 행방불명이 된 전자들을 공백이라고 부른다.

The disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting device, comprising: a substrate; a plurality of group III nitride semiconductor layers formed on the substrate, and which have active layers for generating light by electron-hole recombination; and a scattering surface which scatters light generated from the active layers, and has an etched first surface, and a second surface covering the first surface.
본 개시는 기판; 기판 위에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성시키는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 그리고, 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 면;으로서, 식각된 제1 면과 제1 면을 덮는 제2 면을 구비하는 스캐터링 면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

The present invention relates to a dye-sensitized solar cell and to a production method therefor, and more specifically relates to a dye-sensitized solar cell which affords outstanding photoelectric conversion efficiency as the specific surface area of semiconductor oxide is increased such that the dye adsorption efficiency is enhanced and additionally the electron mobility is outstanding such that the open circuit voltage is improved, and electron-hole recombination is prevented.
본 발명은 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 산화물의 비표면적을 증가시켜 염료흡착율이 높아질 뿐 아니라 전자이동도가 우수하여 개방전압이 향상되며, 전자-홀 재결합을 방지함에 따라 우수한 광전 변환 효율을 만족하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.

The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device comprising: a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer formed on the first conductive semiconductor layer; an active layer formed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer so as to emit light by electron-hole recombination; and at least two metal layers which penetrate through the active layer in the vertical direction.
본 개시는 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 위에 위치되는 제2 도전형 반도체층; 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 방출되는 활성층; 및 활성층을 상하방향으로 관통하여 위치되는 적어도 둘 이상의 금속층;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

When the material has “holes” or electron deficits it is called p-type (because of the positive charge).
그 물질이 “호울” 곧 전자 부족 상태를 가지고 있을 때에는 ‘p-타이프’(양전하 때문에)라고 한다.

Therefore, the light-emitting device that uses the clad layer consisting of asymmetric units is able to freely control the injection of both electrons and holes into the active layer to improve the internal quantum efficiency.
본 발명은 활성층의 상부 및 하부에 비대칭적 에너지밴드갭을 갖는 유니트를 반복적으로 쌓음으로서 클래드층을 구비하고, 이를 통하여 전자와 정공의 활성층으로의 유입을 임의로 조절함으로서 내부양자효율을 개선할 수 있는 비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한 발광소자는 활성층의 상부 또는 하부 중 어느 한 곳 이상에 클래드층이 구비되며, 상기 클래드층은 하나 또는 복수의 단위 유닛으로 구성되고, 상기 단위 유닛은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 제 1, 제 2, ..., 제 n 유닛층(n은 3이상의 자연수)이 순차적으로 적층된 구조를 이루며, 상기 단위 유닛의 에너지밴드 다이어그램은 비대칭적 형태를 갖는 것을 특징으로 한다.

Often there is more than one band to choose from for the electron and the hole leading to different types of excitons in the same material.
같은 재료 내에서 한 밴드 이상의 전자와 양공을 선택하는 여러 종류의 엑시톤이 생기는 경우가 자주 있다.

The disclosed solar cell which uses a microcrystalline semiconductor layer is provided with: a substrate (100); a lower electrode (200) which is formed on the substrate (100); a photoelectric element (300) which comprises a polycrystalline semiconductor layer (320) which is formed on the lower electrode (200) and which has crystalline particles (30) extending in the same direction as the movement direction of the electrons or electron holes; and an upper electrode (500) which is formed on the photoelectric element (300).
본 발명에 따른 미세 결정질 반도체층을 이용하여 결정화된 태양전지는 기판(100); 기판(100) 상에 형성되는 하부전극(200); 하부전극(200) 상에 형성되고 전자 또는 정공의 이동 방향과 동일한 방향으로 성장된 결정립계(30)를 갖는 다결정 반도체층(320)을 포함하는 광전소자(300); 및 광전소자(300) 상에 형성되는 상부전극(500)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 포함하는 것을 특징으로 한다.

The present disclosure relates to a group-III nitride semiconductor light-emitting device including an N-type group-III nitride semiconductor layer, an active layer for generating light through electron-hole recombination, a P-type group-III nitride semiconductor layer opposite the N-type group-III nitride semiconductor layer about the active layer, a first electrode electrically connected to the P-type group-III nitride semiconductor layer, and a conductive connection electrically connected to the P-type group-III nitride semiconductor layer and separate from the first electrode, and connected to the N-type group-III nitride semiconductor layer.
본 개시는 N형 3족 질화물 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층을 기준으로 N형 3족 질화물 반도체층에 대향하는 측에 위치하는 P형 3족 질화물 반도체층, P형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 그리고 제1 전극과 거리를 두고 P형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되며, N형 3족 질화물 반도체층으로 이어지는 전도성 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

In this way, it is possible to provide an organic electroluminescent element compound which can be used as a host, hole-transport material and electron-transport material that has outstanding electrical stability and electron- and hole-transporting ability, a high level of triplet state energy and is able to improve the light-emitting efficiency of phosphorescent light-emitting materials, and an organic electroluminescent element.
이에 의하여, 전기적 안정성 및 전자와 정공 수송능력이 우수하며, 삼중항 상태 에너지가 높아 인광발광재료의 발광효율을 향상 시킬 수 있는 호스트, 정공수송물질 및 전자수송 물질로 사용할 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.

The present invention makes it possible to provide: an organic electroluminescent element compound that can be used as an electron-transport material and a host having outstanding electrical stability and outstanding electron and hole transport abilities, having high triplet state energy and able to improve the luminous efficiency of phosphorescent materials.
이에 의하여, 전기적 안정성 및 전자와 정공 수송능력이 우수하며, 삼중항 상태 에너지가 높아 인광발광재료의 발광효율을 향상 시킬 수 있는 호스트 및 전자수송 물질로 사용할 수 있는 유기전계발광소자용 화합물 및 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.

The present invention provides a novel organic compound which is used in the form of a thin film in an electron transport layer or a hole-blocking layer in an organic electronic device.
본 발명은 유기전자소자의 전자수송층 또는 정공저지층에 박막의 형태로 이용되는 신규한 유기화합물을 제공 한다. 본 발명의 유기화합물은 안정한 이미드화합물의 특성 및 질소화합물과 금속물질과의 배위결합성 때문에 계면특성이 향상되어 유기전자소자의 수명을 연장시키고, 향상된 전자친화도 및 전자이동도의 효과로 유기전자소자의 구동전압을 낮아지게 한다.

The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers; a first electrode for supplying one among electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; a second electrode for supplying the other one among electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; a first distributed bragg reflector designed to reflect light of a first wavelength generated by an active layer; and an interference prevention film having light transmissiveness and provided between the plurality of semiconductor layers and the first distributed bragg reflector to reduce interference between the light generated by the active layer and the light reflected by the first distributed bragg reflector.
본 개시는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층에서 생성된 제1 파장의 빛을 반사하도록 설계된 제1 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 투광성을 가지며, 복수의 반도체층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이에 구비되고, 활성층에서 생성된 빛과 제1 분포 브래그 리플렉터에서 반사되는 빛 간의 간섭을 줄이는 간섭 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)에 관한 것이다.

The present disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting element comprising: a plurality of group III nitride semiconductor layers comprising an active layer which generates light by using electron-hole recombination, and group III nitride semiconductor layers respectively disposed on the upper and lower parts of the active layer; a light-transmitting electrode having an upper surface and a lower surface, which is positioned on top of the plurality of group III nitride semiconductor layers and is formed with a recess such that the upper layer is removed while the lower layer is unexposed; and projections which are formed on the floor surface of the recess and scatter the light generated in the active layer.
본 개시는 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층과 활성층의 상,하부에 각각 배치되는 3족 질화물 반도체층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 복수의 3족 질화물 반도체층 위에 위치하며, 상면과 하면을 가지는 투광성 전극으로, 상면이 제거되되 하면이 들어나지 않도록 홈이 형성되어 있는 투광성 전극; 그리고, 홈의 저면에 형성되고 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

This invention relates to a III-nitride semiconductor light emitting device comprising: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant; an active layer positioned between said n-type nitride semiconductor layer and said p-type nitride semiconductor layer, and having a quantum well layer for producing light by re-coupling electrons and electron holes; and a diffusion barrier positioned between said quantum well layer and said p-type nitride semiconductor layer so as to come in contact said layers, and having a smooth interface with said p-type nitride semiconductor layer in order to prevent diffusion of the p-type dopant to said quantum well layer.
본 개시는 n형 질화물 반도체층; p형 도펀트로 도핑된 p형 질화물 반도체층; n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하도록 양자 우물층을 구비하는 활성층; 그리고, 양자 우물층과 p형 질화물 반도체층 사이에서 양자에 접촉하도록 위치하며, p형 질화물 반도체층과의 계면이 매끄럽게 되도록 그 표면을 형성하여, p형 도펀트의 양자 우물층으로의 확산을 방지하는 확산 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device, and more particularly, to a semiconductor light-emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers having a first semiconductor layer with a first conductivity, a second semiconductor layer with a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer which is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and which generates light by electron-hole recombination; a bonding pad electrically connected to the plurality of semiconductor layers; a first electrode spread over the plurality of semiconductor layers; and a second electrode which is extended to the first electrode from the bonding pad, and which electrically interconnects the bonding pad and the first electrode.
본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전도성을 지니는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 지니는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층과 전기적으로 연결되는 본딩 패드; 복수개의 반도체층에 펼쳐지는 제1 전극; 그리고, 본딩 패드로부터 제1 전극으로 연장되며, 본딩 패드와 제1 전극을 전기적으로 접속시키는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Here, the interconnection unit comprises: an electron transport layer being in contact with the lower battery and including an electron transport material; a hole transport layer which comes into contact with the upper battery and includes a hole transport material doped with a p-type dopant; and a metal layer which is between the electron transport layer and the hole transport layer.
기판; 상기 기판 위의 애노드; 상기 애노드 위의 하부 전지; 상기 하부 전지 위에 위치하고 상기 하부 전지의 흡수 파장과 다른 파장의 광을 흡수하는 상부 전지; 상기 하부 전지와 상기 상부 전지 사이에서 상기 하부 전지와 상기 상부 전지를 직렬로 연결하는 연결 유닛; 및 상기 상부 전지 위의 캐소드; 를 포함하는 적층형 유기태양전지를 제공한다. 이때 상기 연결 유닛은 상기 하부 전지와 접촉하고 전자 수송성 물질로 이루어진 전자 수송층, 상기 상부 전지와 접촉하고 p형 도펀트로 도핑된 정공 수송성 물질을 포함하는 정공 수송층, 상기 전자 수송층과 상기 정공 수송층 사이의 금속층을 포함한다.

The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting element, comprising: a first electrode for supplying to a plurality of semiconductor layers either electrons or electron holes; a second electrode for supplying to the plurality of semiconductor layer electrons or electron holes which are not supplied by the first electrode; a non-conductive distributed bragg reflector, which is coupled to a plurality of semiconductor layers, for reflecting light from an active layer; and a first transparent film, which is coupled to the distributed bragg reflector from the opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the non-conductive distributed bragg reflector, and has a refractive index which is lower than the valid refractive index of the distributed bragg reflector.
본 개시는 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고, 활성층으로부터의 빛을 반사하도록 복수의 반도체층에 결합되는 비도전성 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 비도전성 분포 브래그 리플렉터를 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에서 분포 브래그 리플렉터에 결합되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 제1 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device constituted by a plurality of semiconductor layers including a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer disposed between the first semiconductor and second semiconductor layer to generate light through recombination of electrons and holes.
본 개시는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 성장 기판을 통해 순차로 성장-적층된 복수의 반도체층; 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 제1 반도체층의 반대 측에서 복수의 반도체층에 결합되는 기판; 복수의 반도체층과 기판 사이의 경계;로서, 제2 반도체층으로의 전류의 흐름이 가능한 제1 인터페이스와 제1 인터페이스에서의 제2 반도체층으로의 전류 흐름보다 제2 반도체층으로의 전류의 흐름이 상대적으로 차단되는 제2 인터페이스를 가지는 경계; 그리고, 기판의 내로 경계를 향하여 뻗어 있는 제2 전극(a second electrode extended into the substrate toward the boundary);을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

So there is a shortage of electrons compared to the germanium; thus a “hole” exists.
그러므로 ‘게르마늄’에 비하여 전자가 부족하므로, “호울”이 생기게 된다.

The present invention relates to a compound semiconductor light-emitting element comprising: a frame; an adhesive provided on the frame; a light-emitting part which is secured in position on the frame by means of the adhesive and comprises a substrate, a first compound semiconductor layer that is formed on the upper surface of the substrate and has a first type of conductivity, a second compound semiconductor layer that has a second type of conductivity different from the first type of conductivity, and an active layer that is positioned between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer and generates light by using electron-hole recombination; and a spacer which is positioned between the light-emitting part and the frame and creates a gap between the frame and the light-emitting part.
본 개시는 프레임; 프레임에 구비된 접착제; 기판, 기판의 상면에 형성되며 제1 도전성을 가지는 제1 화합물 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 화합물 반도체층, 그리고 제1 화합물 반도체층과 제2 화합물 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 포함하며, 접착제에 의해 프레임에 위치가 고정되는 발광부; 그리고 발광부와 프레임 사이에 위치하며, 프레임과 발광부 사이에 간격을 형성하는 스페이서(spacer);를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

A compound according to the present invention has a HOMO energy level facilitating hole injection, a high LUMO energy level capable of blocking electrons, a superb hole transport characteristic, and when applied to a hole injection layer or hole transport layer of an organic light-emitting element, can impart stability and extended lifespan thereto due to superbly low voltage, high efficiency and high Tg.
본 발명의 화합물은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자의 정공주입층 또는 정공수송층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있다.

A hole injection and hole transport compound according to the present invention has a HOMO energy level facilitating hole injection, high LUMO energy level capable of blocking electrons, a superb hole transport characteristic, and when applied to a hole injection layer or hole transport layer of an organic light-emitting element, can impart stability and extended lifespan thereto due to superbly low voltage, high efficiency and high Tg.
본 발명의 정공주입·정공수송 화합물은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자에 정공주입층 또는 정공수송층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있다.