El circuito, diseñado con la aproximación de circuitos concentrados e implementado en una tecnología CMOS, 90nm, de RF, consta de una topología formada por dos etapas que combina degeneración inductiva de fuente, redes de entonado basada en varactores, y circuitos de polarización programables para adaptar el desempeño a las diferentes especificaciones del estándar con reducido número de inductores y mínima disipación de potencia.
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