Étain oor Japannees

Étain

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

スズ

naamwoord

étain

/e.tɛ̃/ naamwoord manlike

Élément chimique de symbole Sn et de numéro atomique 50 que l'on trouve dans la cassitérite. C'est un métal malléable blanc-argenté et brillant.

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錫

naamwoord

Métal

La couche de cuivre-étain (3) contient un alliage de cuivre et d'étain.
銅-錫層3は銅と錫との合金を含む。

スズ

naamwoord

Élément chimique de symbole Sn et de numéro atomique 50 que l'on trouve dans la cassitérite. C'est un métal malléable blanc-argenté et brillant.

すず

naamwoord

Sn · sn · 白目 · 缶 · 缶詰にする

Soortgelyke frases

Alliage plomb-étain
ピューター

alliage plomb-étain
ピューター · 白目

alliages plomb-étain
白目

voorbeelde

L'invention concerne également un procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ITO, caractérisé par la fourniture d'un bain d'électrolyse d'ITO et d'un bain de collecte d'étain, la dissolution des fragments d'ITO dans le bain d'électrolyse, et la collecte d'étain dans le bain de collecte.
ITOスクラップをアノードとして電解液中で電解することにより溶解させ、溶液中の錫のみを、錫又は錫を含有する物質として沈殿させ、この沈殿物を抜き出して回収槽に入れ、ここで再度溶解して水酸化錫の溶液とし、これを電解又は中和して錫を回収することを特徴とするITOスクラップからの有価金属の回収方法。

L'invention concerne une cellule solaire qui est pourvue d'un substrat (11), d'une première couche d'électrode (12) qui est disposée sur le substrat (11), d'une couche d'absorption lumineuse CZTS de type p (13) qui est agencée sur la première couche d'électrode (12) et qui contient du cuivre, du zinc, de l'étain, et des éléments du groupe VI, y compris du soufre et du sélénium, et d'une seconde couche d'électrode de type n (15) qui est disposée sur la couche d'absorption lumineuse CZTS (13), la concentration en soufre des éléments du groupe VI dans la couche d'absorption lumineuse CZTS (13) augmentant, dans le sens de la profondeur, du côté faisant face à la seconde couche d'électrode (15) vers le côté faisant face à la première couche d'électrode (12).
太陽電池は、基板11と、基板11上に配置された第1電極層12と、第1電極層12上に配置され、銅と亜鉛とスズと、硫黄及びセレンを含むVI族元素とを有するp型のCZTS系光吸収層13と、CZTS系光吸収層13上に配置されたn型の第2電極層15と、を備え、CZTS系光吸収層13の深さ方向におけるVI族元素中の硫黄濃度が、第2電極層15側から第1電極層12側に向かって増加している。

La présente invention a pour objet une solution sensibilisante pour placage autocatalytique, qui peut facilement dissoudre un composé de l’étain sans utilisation d’un acide et peut être utilisée pendant une longue durée sans détérioration de l’uniformité des films de placage métallique.
酸を用いることなくSn化合物を容易に溶解でき、金属めっき皮膜の均一性を損なうことなく長期に渡って使用できる無電解めっきのセンシタイジング液が提供される。

Le métal (M) est de préférence le magnésium, l'aluminium, le zinc, le fer, le nickel, l'étain, le plomb ou le cuivre.
金属(M)はマグネシウム、アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛又は銅が好ましい。

Les particules en oxyde d'étain ci-décrites sont caractérisées par une structure montrant, dans une mesure de spectre Raman, des pics au moins à 37±9 cm-1, 57±9 cm-1, 97±9 cm-1, 142±9 cm-1, 205±9 cm-1, et 255±9 cm-1.
本発明の酸化スズ粒子は、ラマンスペクトル測定において、少なくとも37±9cm-1、57±9cm-1、97±9cm-1、142±9cm-1、205±9cm-1、255±9cm-1にピークを示す構造を有することを特徴とする。

Dispersion de microparticules d'oxyde d'indium dope a l'etain, procede de production associe, couche intermediaire pour verre lamine presentant une propriete de blocage de rayonnement thermique, produite au moyen de la dispersion, et verre lamine obtenu
錫ドープ酸化インジウム微粒子分散液とその製造方法、および該分散液を用いた熱線遮蔽性を有する合わせガラス用中間膜、ならびにその合わせガラス

L'ébauche de masque de type à réflexion pour lithographie EUV, qui comprend une couche réfléchissante qui réfléchit la lumière EUV et la couche d'absorption qui absorbe la lumière EUV, formées dans cet ordre, est caractérisée en ce que la couche d'absorption susmentionnée contient du palladium (Pd), et au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le molybdène (Mo), l'étain (Sn), l'argent (Ag), le niobium (Nb) et le titane (Ti).
基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、モリブデン(Mo)、錫(Sn)、銀(Ag)、ニオブ(Nb)およびチタン(Ti)からなる群から選ばれる少なくとも1つと、パラジウム(Pd)と、を含有することを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。

Il s’agissait à l’origine d’un alliage de métaux à base d’étain.
基本的に言ってそれはスズを主要な成分とする金属合金です。

La couche de protection comporte un oxyde d'indium et un oxyde d'étain en tant que composants principaux.
追記型光記録媒体は、無機記録層と、この無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた保護層とを備える。 この保護層が、酸化インジウムおよび酸化スズを主成分とする。

Bande d'alliage de cu-ni-si étamée présentant une excellente résistance à la séparation du placage d'étain due à la chaleur
すずめっきの耐熱剥離性に優れるCu-Ni-Si系合金すずめっき条

Le film de revêtement de surface (12) comprend : un film d'étain qui est collé sur au moins une partie de la surface de la couche de corps conducteur ; et un composé de silane organique qui décore la surface du film d'étain.
基板(100)は、表面層がFe-Ni系の金属材料からなる導体層と、導体層の表面のうち少なくとも一部に形成された表面被覆膜(12)と、表面被覆膜(12)と接するように設けられている樹脂層(20)と、を備えている。

Il devient possible de proposer un procédé pour recueillir un alliage indium-étain à un rendement élevé à partir d'une cible de pulvérisation cathodique d'ITO ou de fragments d'ITO (par exemple, un déchet d'ITO) produits pendant la production de la cible de pulvérisation cathodique d'ITO.
インジウム-錫酸化物(ITO)スパッタリングターゲット又は製造時に発生するITO端材等のITOスクラップから、インジウム-錫合金を効率良く回収する方法を提供する。

Quand ils se rendent pour la dernière fois à la chapelle, ils prononcent cette prière d’adieu pour l’année : “Comme dans les collines d’étain, déverse ta lumière du soleil. Sur nos cœurs déverse tes bénédictions.
そして教会に来るのは,今年はこれで最後というときには,その年のためにこのような別れの祈りをささげます。「 スズの山におけるように,太陽の光を注いでください。

Parmi les éléments* connus dans l’Antiquité figuraient l’or, l’argent, le cuivre, l’étain et le fer.
古代から知られていた元素*は,金,銀,銅,すず,鉄などでした。

Procédé de production de dialcoxydes de dialkyl étain
ジアルキルスズジアルコキシドの製造方法

Sais-tu différencier l'argent de l'étain ?
銀とブリキの区別がつきますか。

Le verre en fusion sortant du four en un ruban continu s’étale directement sur la surface d’un bain d’étain fondu.
炉から出てきた融解ガラスは,密閉された,融解すずの容器の表面に,連続的な細長い形状のまま直接に送られる。

Film de revêtement en étain ou en alliage d'étain formé par placage et matériau composite le comprenant
Sn又はSn合金めっき被膜、及びそれを有する複合材料

La présente invention concerne une composition durcissable qui a une aptitude au durcissage et une solidité et a également une aptitude au durcissage rapide et une excellente stabilité au stockage et ne requiert pas un catalyseur à l'étain.
硬化性と強靱性の両立を実現し、さらに速硬化性と優れた貯蔵安定性を示し、錫触媒を必要としない硬化性組成物を提供する。

Le produit en résine selon la présente invention (1) comprend un substrat en résine tendre (2) sur lequel sont formés des films métalliques, au moins deux couches des films métalliques étant formées sur le substrat en résine tendre (2), la couche inférieure délimitant un premier film métallique (3) formé d'au moins un métal sélectionné parmi l'étain, l'indium ou le zinc, et la couche supérieure délimitant un deuxième film métallique (4) formé de chrome.
本発明は、軟質樹脂基材2上に金属皮膜が形成された樹脂製品1において、前記金属皮膜は、前記軟質樹脂基材2上に少なくとも上下二層に形成されており、下層である第1金属皮膜3はスズ、インジウム又は亜鉛のうち少なくともいずれか1つから形成され、上層である第2金属皮膜4はクロムから形成されてなる樹脂製品1に関する。

La valeur du rapport (C/D) en poids entre le composé de zinc (D) et le composé d'étain (C) est inférieure à 1.
01~5質量部であり、上記亜鉛化合物(D)に対する上記スズ化合物(C)の質量比(C/D)の値が1未満である、熱硬化型シリコーン樹脂組成物である。

Le TFT est caractérisé en ce que la couche semiconductrice d'oxyde est constituée d'un laminage d'une première couche semiconductrice d'oxyde composée d'étain et d'indium, de gallium et/ou de zinc, et de l'oxygène, et d'une deuxième couche semiconductrice d'oxyde composée d'un ou plusieurs éléments sélectionnés parmi un groupe comprenant l'étain, l'indium, le gallium et le zinc, et d'oxygène.
該TFTは、酸化物半導体層が、SnおよびIn、ならびにGaとZnの少なくとも1種と、Oとから構成される第1酸化物半導体層と、In、Zn、Sn、およびGaよりなる群から選択される1以上の元素と、Oとから構成される第2酸化物半導体層と、を有する積層体であり、前記ゲート絶縁膜、前記第2酸化物半導体層、前記第1酸化物半導体層の順に形成され、且つ、薄膜トランジスタの積層方向断面において、[100×(ソース-ドレイン電極端直下の第1酸化物半導体層の膜厚-第1酸化物半導体層中央部の膜厚)/ソース-ドレイン電極端直下の第1酸化物半導体層の膜厚]により求められる値が、5%以下である点に特徴を有する。

Antioxydant aqueux pour etain ou alliage d’etain
錫および錫合金の水系酸化防止剤

Poudre d'oxyde d'indium et d'étain, son procédé de fabrication, composition conductrice transparente et hydroxyde d'indium et d'étain
インジウム錫酸化物粉末、その製造方法、透明導電性組成物、及びインジウム錫水酸化物

L'invention concerne une forme d'une poudre d'oxyde d'indium et d'étain qui a une aire de surface spécifique d'au moins 55 m2/g, et qui a une couleur jaune clair à rouge-jaunâtre, ou une pleine largeur au demi-maximum pour le pic du plan (222) de pas plus de 0,6° sur un diagramme de diffraction des rayons-X.
このインジウム錫酸化物粉末の一態様は、比表面積が55m2/g以上であり、山吹色から柿色の色調を有するか、またはX線回折チャートの(222)面のピークの半値幅が0. 6°以下である。