Puits quantique oor Japannees
Puits quantique
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量子井戸
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Dans les puits quantiques multiples, le total des éléments contenus comme impuretés est inférieur ou égal à 5 × 1015 cm-3.
源氏 と 朧月 夜 と の 関係 は 、 彼女 の 入内 後 も つづ い て い る 。patents-wipo patents-wipo
En conséquence, le laser à semi-conducteur obtenu peut améliorer l'efficacité d'injection d'électrons dans la couche active possédant une structure à puits quantiques.
紙背 文書 に つ い て は 佐佐木 本 と 同じ 。patents-wipo patents-wipo
Un espacement (D) entre la couche de puits quantique (24) et les boîtes quantiques (28) est de taille inférieure à la taille moyenne de l'espacement (X) entre les centres des boîtes quantiques (28).
以前、君はエンジンに問題が起きると いつも飛び上がっていたよなpatents-wipo patents-wipo
Le dispositif de prise d’image comprend une couche réceptrice de lumière (3) présentant une structure à puits quantiques multiples et une couche de commande de répartition de la concentration de diffusion (4) disposée sur le côté de la couche réceptrice de lumière opposé à un substrat InP (1).
アレキサンダー どこだと思う?patents-wipo patents-wipo
Un laser à cascade quantique selon l'invention est doté d'un substrat semiconducteur et d'une couche active présentant une structure en cascade dans laquelle des stratifiés unitaires, se composant chacun d'une couche émettrice de lumière à puits quantique (17) et d'une couche d'injection (18), sont empilés en étages multiples.
武 小 広国 押 盾 天皇 ( たけ を ひろくに お したて の すめらみこと ) 宣化 天皇patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une couche de base (20) et une couche électroluminescente (30) qui est formée sur la couche de base (20) et présente une structure, des couches barrière composées de InAlGaN et des couches de puits quantiques composées d’InGaN étant stratifiées de façon alternée.
尚 、 『 新訂 増補 国史 大系 』 は この 北条 本 を 底本 と し ながら も 、 吉川 本 も 校合 に 用い られ た 。patents-wipo patents-wipo
Une couche barrière finale qui, parmi les couches barrière, est celle la plus proche de la couche semi-conductrice côté p, et au moins une couche barrière située de manière adjacente à la couche barrière finale, celles-ci étant séparées par une couche de puits quantique, sont des films plus épais que les couches barrière qui sont plus proches de la couche semi-conductrice côté n.
「 祇園 精舎 の鐘 の 声 ... ... 」 の 有名 な 書き出 し を はじめ と し て 、 広 く 人口 に 膾炙 し て い る 。patents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un stratifié semi-conducteur comprenant : un substrat comprenant un semi-conducteur composé du groupe III-V ; une couche tampon disposée en contact avec le substrat, la couche tampon comprenant un semi-conducteur composé du groupe III-V ; et une couche de puits quantique disposée sur et en contact avec la couche tampon, la couche de puits quantique comprenant une pluralité de couches d'éléments constituées d'un semi-conducteur composé du groupe III-V.
これ は 当時 日本 に 存在 し て い た 唯一 の 都市 で あ る 大宰府 の こと と 考え られ る 。patents-wipo patents-wipo
Selon l'invention, une couche d'énergie à faible activité (42, 62) est formée sur la première couche de revêtement (40) et/ou sur la seconde couche de revêtement (60), la couche d'énergie à faible activité (42, 62) comportant une bande interdite qui est plus petite que la bande interdite la plus petite d'une couche de confinement optique destinée à former le puits quantique de la couche active (50) et qui est plus grande que la bande interdite du puits quantique.
場合を除いて...だけを破壊したゴールデンゲートブリッジ。patents-wipo patents-wipo
Lorsque d1 représente la constante de réseau du semi-conducteur composé constituant le substrat, lorsque d2 représente la constante de réseau du semi-conducteur composé constituant la couche tampon et lorsque d3 représente la constante de réseau moyenne du semi-conducteur composé constituant la couche de puits quantique, la valeur de (d2‒d1)/d1 est égale à ‒3×10‒3 à 3×10‒3, et la valeur de (d3‒d1)/d1 est égale à ‒3×10‒3 à 3×10‒3.
マスター・ヨーダは救助したが 至る所で奇襲が起きてるpatents-wipo patents-wipo
Chacun des nanofils à cœur et coquilles multiples comprend : un nanofil central composé d'un semi-conducteur composé III-V d'un premier type de conductivité; une première couche barrière composée du semi-conducteur composé III-V du premier type de conductivité; une couche de puits quantique composée d'un semi-conducteur composé III-V; une seconde couche barrière composée d'un semi-conducteur composé III-V d'un second type de conductivité; et une couche de recouvrement composée d'un semi-conducteur composé III-V du second type de conductivité.
今度は誰だよ? キリストか?ジャンヌ・ダルクか?patents-wipo patents-wipo
Le dispositif d'examen de qualité d'aliment est caractérisé en ce qu'une couche photosensible (3) présente une structure de puits quantique multiple formée d'un semi-conducteur du groupe III-V, une jonction pn (15) est formée par diffusion sélective d'un élément d'impureté dans la couche de réception de lumière, la concentration de l'impureté dans la couche de réception de lumière est inférieure à 5 × 1016/cm3, et au moins une longueur d'onde de lumière dans la bande d'absorption d'eau plus courte que 3 μm est reçue pour effectuer un examen.
加藤 氏 近江 国 水口 藩 2 万 5 千 石 城patents-wipo patents-wipo
15 Quant à tous les puits qu’avaient creusés les serviteurs de son père, aux jours d’Abraham son père+, ceux-là les Philistins les bouchèrent : ils les remplissaient de terre sèche+.
なぜだ? 私が悪党だからか?jw2019 jw2019
Alors que les autres Juifs haïssaient les Samaritains, il a, quant à lui, donné le témoignage à une Samaritaine près d’un puits.
お前があの小屋に現れた 男だったんだな?jw2019 jw2019
Dans la mécanique quantique, cependant, il existe une probabilité non nulle que la particule puisse « creuser un tunnel » à travers la paroi du puits de potentiel, et alors s'échapper.
偽書 説 に は 大体 二 通り あ り 、 序文 のみ が 偽書 で あ る と する 説 と 、 本文 も 偽書 で あ る と する 説 に 分かれ る 。LASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
15 sinne gevind in 7 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.