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Les confédérés se dirigent aussitôt vers Selma et se déploient en une ligne défensive semi-circulaire de cinq kilomètres (3 miles) ancrée à ses deux extrémités sur le fleuve Alabama.
合戦 の 描写 その もの は 実 に 臨場 感 が あ り 、 リアル で あ る 。LASER-wikipedia2 LASER-wikipedia2
Le but de la présente invention est de pourvoir à un dispositif à semi-conducteur dans lequel l'oxydation de lignes de câblage en cuivre (Cu) est supprimée même pendant un fonctionnement à des températures élevées.
都人 に 大変 親し ま れ た と 考え られ て い る 。patents-wipo patents-wipo
Ledit dispositif de mémoire à semi-conducteurs comporte en outre un cache de données connecté électriquement aux lignes binaires, et un contrôleur servant à commander l'opération d'écriture dans les cellules de mémoire.
1 月 29 日 ( 出発 ) → ( 到着 ) 土佐 泊patents-wipo patents-wipo
L'invention vise à aplatir la ligne de caractéristiques gm-Vgs d'un dispositif semi-conducteur qui est un FET, en commandant une structure d'électrode de source.
近年 、 その 死因 に つ い て 多く の 説 が 立て られ て い る 山口 鋠 少佐 ( 大隊長 ) 。patents-wipo patents-wipo
Une ligne d'alimentation électrique et/ou la ligne de signal du stratifié est connectée en commun, via l'électrode traversante, aux puces semi-conductrices constituant le stratifié.
トランクに載せちまえばいい- おお それはいいなpatents-wipo patents-wipo
Un élément de capture d'image à semi-conducteurs est décrit, comprenant une pluralité de pixels arrangés en lignes et en colonnes (R, Gr, Gb, B, ...); des circuits de signaux de lecture (301, 302) qui sont connectés à une pluralité de pixels qui sont arrangés dans la direction des lignes ; et des circuits de signaux de sortie (303, 304) qui sont arrangés dans la direction des colonnes.
堀川 大 納言 通具 ( 源 通具 )patents-wipo patents-wipo
Dans le semi-conducteur en forme d'îlot, une zone de type N+ de ligne de signal (2) et une zone de type P (3) sont formées dans cet ordre depuis la partie inférieure, et sur la surface latérale d'une partie supérieure de la zone de type P (3), une zone de type N (4) et une zone de type P+ (5) sont formées dans cet ordre depuis la partie intérieure du semi-conducteur en forme d'îlot.
大化 前代 の 職業 部 の 後身 と さ れ る 。patents-wipo patents-wipo
On obtient ainsi un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium qui comprend une électrode ohmique présentant une bonne adhérence à une ligne de câblage, tout en supprimant le dépôt d'atomes de carbone sur la couche superficielle de l'électrode et la formation d'un contact Schottky entre Si et SiC.
これ を 戦艦 と 間違え た イル ティッシュ 号 は 、 今来 た ところ を 後戻り し た 。patents-wipo patents-wipo
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend : des électrodes inférieures (21) qui sont agencées en lignes le long d'une première direction (Y) et d'une deuxième direction (X) parallèle à la surface d'un substrat de semi-conducteur (1) et qui s'étendent dans une troisième direction (Z) perpendiculaire à la surface du substrat de semi-conducteur ; un premier film de support (14) qui est agencé sur l'extrémité supérieure des électrodes inférieures et qui possède de multiples premières ouvertures (OP11-OP61) ; un second film de support (10) qui est agencé au centre des électrodes inférieures dans la troisième direction, et qui possède des secondes ouvertures (OP12-OP62) alignées dans un plan selon le même motif que les premières ouvertures ; un film isolant de condensateur (25) recouvrant la surface des électrodes inférieures ; et des électrodes supérieures (26) recouvrant la surface du film isolant de condensateur.
耳が悪いんじゃないのpatents-wipo patents-wipo
L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui possède : des premières couches de semi-conducteur en colonnes (129, 131, 132, 134); un film d'isolation de grille (162) qui est formé autour des premières couches de semi-conducteur en colonnes; des électrodes de grille (168a, 170a) qui sont formées autour du film d'isolation de grille; des lignes de câblage de grille (168b, 170b) qui sont connectées aux électrodes de grille; des premières couches de diffusion (302, 304, 305, 307) qui sont formées en tant que parties supérieures des premières couches de semi-conducteur en colonnes; des secondes couches de diffusion (143a, 143b) qui sont formées en tant que parties inférieures des premières couches de semi-conducteur en colonnes; des éléments de stockage (181a, 181b, 182a, 182b), qui sont formés sur les premières couches de diffusion et dans lesquels des valeurs de résistance varient.
東海道 先鋒 総督 橋本 実 梁 、 副 総督 柳原 前光 、 参謀 西郷 ら が 兵 を 率い て 江戸 城 へ 入城 し た 。patents-wipo patents-wipo
La présente invention porte sur un dispositif (1) de stockage à semi-conducteurs qui comporte un réseau de cellules de mémoire (MCA) dans lequel une pluralité de cellules de mémoire (MC) sont disposées en matrice, qui comporte une ligne de mot de lecture (RWL), une ligne de bit de lecture (RBL) et une ligne de source de lecture (RSL).
1 通 は 尚書 省司 、 1 通 は 越州 都督 府 。patents-wipo patents-wipo
La présente invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteur caractérisé en ce que, lorsqu'un circuit de dérivation (10) de ce dispositif de mémoire à semi-conducteur lit des données dans une cellule de mémoire (11) par l'intermédiaire d'une ligne de bits (BLX) d'une paire de lignes de bits (BL, BLX) dans une relation complémentaire reliées à la cellule de mémoire (11) stockant les données, la commande est exécutée en fonction du signal provenant de la ligne de bits (BL) et d'un signal indiquant la cellule de mémoire (11) de sorte que, selon les potentiels de la paire de lignes de bits (BL, BLX), les hausses de potentiel du nœud SOUT du circuit de raccordement sont évitées, ou les chutes de potentiel du nœud SOUT sont évitées, au moyen d'un circuit de décharge (20) agencé dans le circuit de raccordement (10).
とり の まひ - 薬師 堂 の 仏像 開眼 の 様子 。patents-wipo patents-wipo
L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique (3) qui comprend un substrat semi-conducteur (21), une couche isolante (22) qui est formée sur le substrat semi-conducteur (21), une électrode (EL) qui est formée sur la couche isolante (22), un film de conversion photoélectrique (23) qui est formé sur l'électrode (EL) et convertit une lumière incidente en charges électriques, une ligne de câblage (LN) qui est connectée entre l'électrode (EL) et le substrat semi-conducteur (21), une première électrode de surface (CTM) qui est formée à l'intérieur de la couche isolante (22) et connectée à l'électrode (EL) et une seconde électrode de surface (CBM) qui est agencée entre la première électrode de surface (CTM) et le substrat semi-conducteurs (21) à l'intérieur de la couche isolante (22).
イザナギ と イザナミ 男女 の 神 、 夫婦patents-wipo patents-wipo
L'objectif de la présente invention est de proposer un film adhésif pour collage de semi-conducteur qui, lorsqu'il est stratifié sur une surface de tranche et découpé en dés le long d'un chemin de découpe (ligne de découpe en dés), est moins enclin à se décoller au niveau de l'interface entre le film adhésif et la tranche, en particulier, au niveau de l'interface entre le film adhésif et la tranche sur laquelle un motif de câblage en aluminium est présent sur le chemin de découpe.
翁 は これ に 、 「 富貴 」 を 観点 と し て 武将 を 論 じ た 。patents-wipo patents-wipo
La ligne de coulée de procédé de moulage sous vide semi-automatique comprend une unité de pompe à vide comprenant une pompe à vide, un dispositif d'alimentation en sable, un dispositif de moulage, un équipement d'agencement de châssis de moulage supérieur et inférieur, un dispositif de coulée en lingotière, un dispositif de démoulage, et un dispositif de traitement de sable.
893 年 ( 寛平 5 ) 2 月 21 日 、 式部 少輔 に 遷任 。patents-wipo patents-wipo
Le substrat de matrice active est caractérisé en ce qu'il comprend, sur une surface principale du substrat, des bornes (5, 8, 9), un élément semi-conducteur, des lignes de câblage (6, 10, 11) qui sont formées dans une zone d'image du substrat et qui connectent les bornes (5, 8, 9) à l'élément semi-conducteur, et des parties conductrices de forme annulaire (16 à 21) qui sont formées sur les couches supérieures et/ou sur les couches inférieures des lignes de câblage (6, 10, 11) avec des films isolants entre elles.
この 予算 案 に 対 し 、 民党 は 、 前 の 第 1 次 山縣 内閣 時 から の 主張 「 民力 休養 ・ 政費 節減 」 を 継続 し た 。patents-wipo patents-wipo
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé d'expansion comprenant les étapes suivantes : une étape de préparation d'un stratifié comportant une plaquette semi-conductrice, sur laquelle des parties de reformage sont formées le long de lignes de prévision de division, un film de collage de puce, et une bande de découpage en dés (I) ; une étape d'expansion de la bande de découpage en dés sous une condition de refroidissement du stratifié (IIA) ; une étape de relâchement de la bande de découpage en dés ayant subi l'expansion (IIB) ; et une étape d'expansion de la bande de découpage en dés sous ladite condition de refroidissement du stratifié, de division de la plaquette semi-conductrice et du film de collage de puce le long des lignes de prévision de division pour obtenir des puces, et d'élargissement des espaces entre les puces (IIC).
とても とても とても とても とってもみじめ・・・patents-wipo patents-wipo
Un élément de formation d'image à semi-conducteur, conforme à un mode de réalisation de la présente invention, est doté d'une pluralité de pixels (R, Gr, Gb, B,...) agencés en rangées et en colonnes, de lignes de signaux de prélèvement (401, 402) reliées à la pluralité de pixels disposés dans la direction des rangées et de lignes de signaux de sortie (403, 404, 405, 406) reliées à la pluralité de pixels agencés dans la direction des colonnes.
日本 書紀 が 参考 に し た 中国 の 史書 に も 「 続 日本 紀 」 など の これ 以後 の 日本 の 史書 に も この よう な 記事 は 無 い 。patents-wipo patents-wipo
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides avec impression en amalgame, dans lequel procédé une large plaque polarisante est adhérée à au moins une surface d'un large panneau à cristaux liquides (140) sur lequel de multiples régions d'affichage (D) ont été établies, après quoi le panneau à cristaux liquides (140) est séparé en régions d'affichage individuelles (D), et ayant une étape dans laquelle une ligne de semi-découpe (La) est formée dans la plaque polarisante, une étape dans laquelle la plaque polarisante dans laquelle la ligne de semi-découpe (La) est formée est adhérée au panneau à cristaux liquides (140), et une étape dans laquelle des parties non nécessaires de la plaque polarisante sont séparées au moyen de la ligne de semi-découpe (La) à partir du panneau à cristaux liquides (140), auquel la plaque polarisante est adhérée.
武士 は 基本 的 に 主君 から 知行 を 与え られ て 、 それ に 対応 し た 軍役 を 義務 と し て 果た す もの で あ っ た 。patents-wipo patents-wipo
L'invention porte sur un dispositif d'affichage à cristaux liquides (1), qui comporte : un film d'isolement de grille (10) formé sur une ligne de capacité auxiliaire (9) qui est formée sur un substrat en verre (7) ; une couche semi-conductrice (12) formée sur le film d'isolement de grille (10) ; une électrode de drain (8) d'un transistor à film mince (5) formé sur la couche semi-conductrice (12) ; un film d'isolement entre couches (13) formé sur le film d'isolement de grille (10) de façon à couvrir la couche semi-conductrice (12), et une électrode de pixel (14) qui est formée sur le film d'isolement entre couches (13) et qui est électriquement connectée à l'électrode de drain (8) par l'intermédiaire d'un trou de contact (15) formé dans le film d'isolement entre couches (13).
これ を あわせ た もの が 、 現 『 性霊 集 』 で あ る 。patents-wipo patents-wipo
Le procédé de l'invention consiste à former des puces inopérantes (22) à la périphérie d'une tranche semi-conductrice (1), former des puces opérantes (21) dans une zone entourées par les puces inopérantes, former des électrodes de surface sur les puces opérantes et les puces inopérantes, et disposer des films isolants (7) sur des lignes de découpe en dés (23) qui définissent les puces opérantes et les puces inopérantes.
ソナになにがあったかを調べる。patents-wipo patents-wipo
Ainsi, le dispositif programmable à semi-conducteurs possède une pluralité de pistes disposées en rangées et en colonnes sur la puce, une pluralité de matrices de commutation aux points d'intersection entre les pistes disposées en lignes et les pistes disposées en colonnes de façon à transférer les signaux de données reçus, et une pluralité de blocs de circuit directement connectés à chaque matrice de commutation de façon à assurer les opérations d'entrée/sortie des signaux de données via la pluralité de matrices de commutation, les blocs de circuit produisant des signaux de données fictives lorsqu'un autre bloc de circuit produit les signaux de données, et les matrices de commutation calculant les signaux de données et les signaux de données fictives pour produire les signaux de données.
吝太郎 ( けちんぼ の 笑い )patents-wipo patents-wipo
22 sinne gevind in 10 ms. Hulle kom uit baie bronne en word nie nagegaan nie.