La présente invention concerne donc un TEC de jonction de type à tranchée ayant une capacité réduite entre la grille et le drain, sans diminuer la tension de tenue, sur la résistance, ou les caractéristiques de grille.
従来の炭化珪素基板を用いたトレンチ型の接合FETには、素子中でゲートドレイン間のpn接合が占める面積の割合が大きく、ゲートドレイン間の容量が大きく、これに伴う課題があった。patents-wipo patents-wipo