transistor bipolaire à grille isolée oor Nederlands

transistor bipolaire à grille isolée

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Insulated-gate bipolar transistor

voorbeelde

— les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT);
— bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGTBs)

transistor bipolaire à grille isolée
Bipolaire transistors met geïsoleerde poort

les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT);
bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGTBs)

SAIC Infineon Modules produira et vendra des modules de puissance à transistor bipolaire à grille isolée (semi-conducteurs de puissance) sur châssis pour véhicules hybrides et entièrement électriques en Chine.
— SAIC Infineon Modules: zal IGBT-vermogensmodules (vermogenhalfgeleiders) voor hybride en volledig elektrisch aangedreven motorvoertuigen produceren en verkopen in China.

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes et
— niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of IGBT (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en

dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of IGBT (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en

— dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d'unités internes et
— niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of IGBT (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en

dotés de trois sorties électriques au maximum munies chacune de deux interrupteurs [MOSFET (transistor à effet de champ à oxydes métalliques) ou IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)] et d’unités internes, et
niet meer dan drie elektrische uitgangen met elk twee vermogensschakelaars (MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) of IGBT (bipolaire transistor met geïsoleerde poort)) en interne drives, en