N형 반도체 oor Engels

N형 반도체

Vertalings in die woordeboek Koreaans - Engels

n-type semiconductor

naamwoord

그리고 n형 전극은 n형 반도체층 위에 형성된다.
The n-type electrode is formed on the n-type semiconductor layer.

voorbeelde

예를 들어, n+ 는 강하게 도핑되어 높은 농도를 가진, 보통 축퇴된 n형 반도체를 나타낸다.
For example, n+ denotes an n-type semiconductor with a high, often degenerate, doping concentration.

그리고 n형 전극은 n형 반도체층 위에 형성된다.
The n-type electrode is formed on the n-type semiconductor layer.

질화물계의 n형 반도체층은 활성층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다. p형 전극은 전극 형성부 위에 형성된다.
The p-type electrode is formed on the electrode forming portion.

p형, n형 반도체 둘 다 만들수 있죠. 트랜지스터를 만들 수 있다는 뜻이죠.
You can make both p- and n-type semiconductors, which means you can make transistors out of them.

본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광 소자는 베이스 기판, 버퍼층, 도핑 보강층, p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층, p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
The buffer layer of a nitride group is formed on the base substrate.

따라서, 단일막질의 치밀한 산화아연층을 형성할 수 있으며, 이를 발광 다이오드의 n형 반도체로 이용할 수 있다. a면을 이용하는 발광 다이오드의 막질들의 형성을 통해 내부양자효율은 상승된다.
Internal quantum efficiency is increased by forming film qualities of light emitting diodes using the "a" plane.

이 발광 다이오드는, 지지기판 상에 위치하고, 질화갈륨 계열의 p형 반도체층, 질화갈륨 계열의 활성층 및 질화갈륨 계열의 n형 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체, 및 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하는 반사층을 포함한다.
The present invention provides a highly efficient light emitting diode and a method for manufacturing same.

고농도 N형 질화물 반도체의 제조방법 및 이에 의한 질화물 발광소자
Method for manufacturing a high‐concentration n-type nitride semiconductor and nitride light‐emitting device based on same

본 발명은 반도체 양자점 감응형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 기판 상부에 4족 원소 및 InP를 함유하는 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층이 형성된 기판을 열처리하여 In(Indium)을 제거하고 P(phosphorus)가 도핑된 4족 원소 양자점인 n형 반도체 양자점을 형성하는 양자점 형성 단계;를 포함하는 특징이 있다.
The present invention relates to a production method for a semiconductor quantum dot sensitized type of solar cell, and, more specifically, the production method of the present invention comprises: a quantum dot forming step in which a semiconductor layer containing a group 4 element and InP is formed on a substrate and then the substrate on which the semiconductor layer has been formed is subjected to a heat treatment, thereby forming n-type semiconductor quantum dots constituting group-4-element quantum dots from which the In (indium) has been removed and which have been doped with P (phosphorus).

개시되는 3족 질화물 반도체 발광소자는, p형 전도성을 가지는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드; n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며, 상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, 최하면으로서 Al과 Ag를 포함하는 반사층을 가지는 것을 특징으로 한다.
The disclosed group-III nitride semiconductor light-emitting device comprises: a p-type semiconductor layer having p-type conductivity; a p-side bonding pad electrically connected to the p-type semiconductor layer; an n-type semiconductor layer having n-type conductivity; and an n-side electrode electrically connected to the n-type semiconductor layer, wherein at least either of the p-side bonding pad and n-side electrode has, as a bottom surface, a reflection layer including Al and Ag.

본 발명에 따르면, 제 1 다이오드를 구성하는 N형 반도체는 전원 전압을 위한 패드와 연결되고, 상기 제 1 다이오드를 구성하는 P형 반도체는 신호선과 연결되며, 제 2 다이오드를 구성하는 N형 반도체는 상기 신호선과 연결되며 상기 제 2 다이오드를 구성하는 P형 반도체는 접지를 위한 패드와 연결되며, 상기 제 1 다이오드의 N형 반도체와 상기 제 2 다이오드의 P형 반도체가 서로 접합되어 제 3 다이오드가 형성되는 정전기 방지용 다이오드를 제공한다.
The present invention relates to a diode for electrostatic protection formed in an input/output pad on an integrated circuit.

본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 상면에 적어도 하나의 피트를 갖는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 피트를 따라 굴곡진 상면을 갖는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 활성층의 굴곡을 따라 굴곡진 상면을 갖는 p형 반도체층;을 포함한다.
The present invention relates to a semiconductor light-emitting device capable of improved light-emitting efficiency, and to a method for manufacturing same.

반도체층을 이루는 반 도체 물질은 n-형(n-type)이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물질은 p-형(p-type)이 거나, 반도체층을 이루는 반도체 물질은 p-형이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물 질은 n-형이다.
Alternatively, the semiconductor material which forms the semiconductor layer is a p-type and the semiconductor material which forms the cell-nanowire is an n-type.

또한, 본 발명에 의한 질화물 발광소자는 전술한 제조방법에 의해 제조된 N형 질화물 반도체로 되는 박막층을 포함할 수 있다.
In addition, the nitride light‐emitting device of the present invention may include a thin film layer comprising the n-type nitride semiconductor prepared by the method described above.

본 발명은 p형 산화물 반도체와 유기물 광 센서가 적용된 이미지 센서에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터의 데이터 전극과 접속되는 n형 산화물 반도체; 상기 n형 산화물 반도체 상에 형성되는 p형 산화물 반도체; 상기 p형 산화물 반도체 상에 형성되는 유기물 광 센서부; 및 상기 유기물 광 센서부 상에 형성되는 전극;을 포함하여 구성된다.
The present invention relates to an image sensor adopting a p-type oxide semiconductor and an organic photosensor, comprising: a thin film transistor formed on a substrate; an n-type oxide semiconductor connected to a data electrode of the thin film transistor; a p-type oxide semiconductor formed on the n-type oxide semiconductor; an organic photosensor unit formed on the p-type oxide semiconductor; and an electrode formed on the organic photosensor unit.

본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.
A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an n-type nitride semiconductor layer, a strain buffer layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the active layer comprises a light emitting MQW and a non-light emitting MQW, and the non-light emitting MQW comprises a quantum barrier layer formed of a 4-component nitride semiconductor.

개시된 발광다이오드는, N형 반도체층, 활성층 및 P형반도체 층이 형성된 발광 반도체 칩과; 상기 발광 반도체 칩에서 출력되는 광이 소망하는 광으로 변환되도록 상기 발광 반도체 칩에서 출력된 광의 파장에 기초한 형광체 배합비율을 가지며, 상기 발광 반도체 칩 상면에 코팅되는 형광물질층과; 상기 형광물질층과 상기 발광 반도체 칩 사이에 배치되어 상기 형광물질층을 상기 발광 반도체 칩에 결합하는 결합층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention relates to a Light Emitting Diode (LED) that enhances productivity and a method for manufacturing same.

본 개시는 n형 질화물 반도체층; p형 도펀트로 도핑된 p형 질화물 반도체층; n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하도록 양자 우물층을 구비하는 활성층; 그리고, 양자 우물층과 p형 질화물 반도체층 사이에서 양자에 접촉하도록 위치하며, p형 질화물 반도체층과의 계면이 매끄럽게 되도록 그 표면을 형성하여, p형 도펀트의 양자 우물층으로의 확산을 방지하는 확산 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
This invention relates to a III-nitride semiconductor light emitting device comprising: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant; an active layer positioned between said n-type nitride semiconductor layer and said p-type nitride semiconductor layer, and having a quantum well layer for producing light by re-coupling electrons and electron holes; and a diffusion barrier positioned between said quantum well layer and said p-type nitride semiconductor layer so as to come in contact said layers, and having a smooth interface with said p-type nitride semiconductor layer in order to prevent diffusion of the p-type dopant to said quantum well layer.

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자 제공한다.
When the semiconductor light emitting device described in the present invention is used, the distance between the n-type and p-type electrodes is constant and a current concentrated at specific regions of the electrodes can be minimized.

이를 위하여, 산소이온 전도성 고체전해질; 상기 고체전해질과 접하고 p형 반도체 금속산화물로 구비된 제 1막; 상기 고체전해질과 접하고 p형 반도체 금속산화물로 구비된 제2막; 상기 제1 막 및 제2막 중 적어도 하나에 포함된 n형 반도체 금속산화물; 제1노드는 상기 제1 막과 전기적으로 연결되고 제2노드는 상기 제2막과 전기적으로 연결되어 상기 제1 막 및 제2막에 전류를 인가하는 전원; 및 상기 제1노드 및 제2노드 사이의 전위차 를 측정하는 측정부;를 포함하는 질소산화물 가스센서를 제공한다.
The present invention provides a nitrogen-oxide gas sensor that is able to measure nitric oxide and nitrogen dioxide at the same time and ensure measurement accuracy and long stability.

본 발명은 금속 전극, 상기 금속 전극 상에 n형 반도체 물질로 형성된 기둥지지부와, 상기 기둥지지부 상에 n형 반도체 물질로 다수의 기둥 모양으로 형성된 기둥부를 포함하는 n형 클래딩, 상기 기둥부를 둘러싸며 컨포멀하게 형성되고, 상기 기둥부 사이의 기둥지지부 상에 컨포멀하게 형성되며, 양자우물층과 장벽층이 교대로 적층된 활성부, 상기 활성부 상에 p형 반도체 물질로 컨포멀하게 형성된 p형 클래딩 및 상기 p형 클래딩 상에 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 다이오드를 제공한다.
The present invention relates to a semiconductor light-emitting diode comprising: a metal electrode; a column support unit formed of an n-type semiconductor material on the metal electrode; an n-type cladding including a column unit having a plurality of columns made of the n-type semiconductor material on the column support unit; an active unit which is formed so as to be conformal such that the active unit surrounds the column unit, and which is formed so as to be conformal on the column support unit between the column units, and which has quantum well layers and barrier layers alternately stacked therein; a p-type cladding formed of a p-type semiconductor material to be conformal on the active layer; and a transparent electrode formed on the p-type cladding.

본 개시는 N형 3족 질화물 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층, 활성층을 기준으로 N형 3족 질화물 반도체층에 대향하는 측에 위치하는 P형 3족 질화물 반도체층, P형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 그리고 제1 전극과 거리를 두고 P형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되며, N형 3족 질화물 반도체층으로 이어지는 전도성 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a group-III nitride semiconductor light-emitting device including an N-type group-III nitride semiconductor layer, an active layer for generating light through electron-hole recombination, a P-type group-III nitride semiconductor layer opposite the N-type group-III nitride semiconductor layer about the active layer, a first electrode electrically connected to the P-type group-III nitride semiconductor layer, and a conductive connection electrically connected to the P-type group-III nitride semiconductor layer and separate from the first electrode, and connected to the N-type group-III nitride semiconductor layer.

본 발명은 열전변환장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종(異種) 반도체로 이루어지는 헤테로 구조의 반도체를 가지며, 상기 헤테로 구조 반도체의 p형 반도체를 구비하여 이루어지는 p형 열전변환층과 상기 헤테로 구조 반도체의 n형 반도체를 구비하여 이루어지는 n형 열전변환층 중 적어도 어느 한쪽의 열전변환층을 가지며, 그 열전변환층의 양단에 열기전력을 인출하는 전극을 설치하여 이루어지는 열전변환장치로, 상기 p형 열전변환층과 상기 n형 열전변환층 사이에 전기적 절연층을 형성하여 전기적 분리구조를 가지며, 상기 전기적 절연층과 상기 전극과 상기 열전변환층이 수직방향(종방향)으로 중첩되는 부분에 열흡수 도전체를 형성하여, 고감도와 고검출 및 고집적이 가능하도록 하였다.
An electrically insulating layer is formed between the p-type thermoelectric conversion layer and the n-type thermoelectric conversion layer to form an electrically separated structure.

본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
The present invention relates to a method for manufacturing a nano-imprint mould, a light-emitting diode using same, and a method for manufacturing same.

본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조체; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명 산화물 전극층; 상기 투명 산화물 전극층과 전기적으로 연결되며, 나노와이어를 포함하여 형성되는 나노와이어층; 및 상기 투명 산화물 전극층 또는 상기 나노와이어층과 전기적으로 연결되는 p측 전극 패드;를 포함한다.
A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises: a light emission structure including an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer; a transparent oxide electrode layer formed on the p-type nitride semiconductor layer; a nanowire layer electrically connected with the transparent oxide electrode layer and including nanowires; and a p-sided electrode pad electrically connected with the transparent oxide electrode layer or the nanowire layer.