write memory cycle oor Spaans

write memory cycle

Vertalings in die woordeboek Engels - Spaans

ciclo de escritura

voorbeelde

Read and Write Cycles Figure 10-12 shows typical timing diagrams for a memory read cycle and a write cycle.
La Figura 10.12 muestra un diagrama de tiempos típico para un ciclo de lectura y un ciclo de escritura de una memoria.

So, then, each thread can also access. read or write, the per block shared memory at about five clock cycle of
Por lo tanto, a continuación, cada hilo puede también acceso. leer o escribir, el bloque de memoria compartida en ciclo de reloj cerca de cinco de

Memory writes may be performed one after the other at the intervals of the cycle time.
Las escrituras en la memoria se pueden llevar a cabo una detrás de otra en intervalos de tiempo.

The cycle time of memory is the time required to complete a write operation.
El tiempo de ciclo de una memoria es el tiempo necesario para llevar a cabo una operación de escritura.

For years, researchers have looked for a non-volatile memory standard that is faster than flash memory while offering higher densities and withstanding millions of read/write cycles.
Durante años, los investigadores han buscado un estándar de memorias no volátiles más rápidas que las memorias flash que, a la vez, ofrezca densidades mayores y soporte millones de ciclos de lectura/escritura.

The GNSS Secure Transceiver shall use a memory to store the data and be able to perform at least 20 millions write/read cycles.
El transceptor seguro GNSS utilizará una memoria para almacenar los datos y podrá realizar al menos veinte millones de ciclos de escritura/lectura.

'GNS_20 The GNSS Secure Transceiver shall use a memory to store the data and be able to perform at least 20 millions write/read cycles.
«GNS_20 El transceptor seguro GNSS utilizará una memoria para almacenar los datos y podrá realizar al menos veinte millones de ciclos de escritura/lectura.

We can,, each thread can also read or write a per grid global memory at 500 clock cycles or more at very modest throughput, and each thread can really expect not cannot expect to access the global memory more than maybe once every ten clock cycles or so while, given that throughput, given the limited memory bandwidth.
Podemos, cada hilo también puede leer o escribir una por memoria global grid en ciclos de reloj de 500 o más en rendimiento muy modesto, y cada hilo puede esperar realmente no puede esperar para acceder a la memoria global más de una vez cada diez reloj ciclos más o menos, a lo mejor dado ese rendimiento, Dado el ancho de banda de memoria limitada.

A Memory Address Register Storage (MARS) Core memory read, clear, or write operation took 2 μs and each write operation was automatically (but not necessarily immediately) preceded by a read or clear operation of the same "register(s)" during the 20 μs memory cycle.
Una operación de Almacenamiento en Memoria del Registro de Dirección (Memory Address Register Storage o MARS) en la memoria de Núcleos para leer, borrar o escribír tomaba 2 μs, como la lectura era destructiva, cada operación relacionada de escritura se hacía automáticamente (pero no necesariamente de forma inmediata) precedida por cada operación de lectura o borrado del mismo "registro(s)" durante el ciclo de memoria de 20 μs.

A Memory Address Register Storage (MARS) core memory read, clear, or write operation took 1.5 μs and each write operation was automatically (but not necessarily immediately) preceded by a read or clear operation of the same "register(s)" during the 10 μs memory cycle.
Una operación de Memory Address Register Storage (MARS o Almacenamiento de Registro de la Dirección de Memoria) en la memoria de núcleo para leer, borrar o escribir tomaba 1.5 μs, y cuando la operación es de escritura o borrado, al ser destructivas, era seguida de una operación de re-escritura automática (pero no necesariamente inmediata) del mismo "registro(s)" durante el mismo periodo de 10 μs del ciclo de memoria.

flash memories have limited write cycles.
Las memorias flash tienen limitados los ciclos de lectura.

Endurance: The number of Write/Erase cycles that flash memory can perform without jeopardizing data reliability.
Número de ciclos de escritura/borrado que puede realizar la memoria flash sin perjudicar la fiabilidad de los datos.

30 Number of write cycles in the internal memory
30 Número de ciclos de grabación en la memoria interna

USB flash drives can withstand between 10,000 to 100,000 write/erase cycles, depending on the memory technology used.
Las memorias USB pueden soportar entre 10.000 a 100.000 ciclos de escritura/borrado, dependiendo de la tecnología de memoria que se utilice.

High-Endurance Memory Solution for Multiple Write Cycles
Es una solución de memoria de alto rendimiento para diversas velocidades de escritura

Read and Write cycles in a static memory for the JZ4725 processor.
Ciclos de Lectura y Escritura de una memoria estática para el procesador JZ4725.

Memory Endurance & Retention: 500,000 write cycles, 20 years minimum
Resistencia y Retención de memoria: 500 000 ciclos de escritura, mínimo 20 años

Unlike the memory used in your SSD, writing cycles don’t have an impact on the RAM.
Al contrario que la memoria utilizada en tu SSD, los ciclos de escritura no tienen un impacto en la RAM.

Flash memory has a limited number of write cycles.
Las memorias flash tienen limitados los ciclos de lectura.

With the effect of write cycles spread across all of the memory, frequently written blocks won't fail prematurely.
Con el efecto de los ciclos de escritura extendiéndose por toda la memoria, los bloques que se escriben con frecuencia no fallarán de manera prematura.

Technology claims are based on comparisons of latency, density and write cycling metrics amongst memory technologies recorded on published specifications of in-market memory products against internal Intel specifications.
Las afirmaciones sobre tecnología se basan en comparaciones de mediciones realizadas de latencia, densidad y ciclos de escritura entre las tecnologías de memoria grabadas en las especificaciones publicadas de productos de memoria del mercado frente a especificaciones internas de Intel.

2 Technology claims are based on comparisons of latency, density, and write-cycling metrics amongst memory technologies recorded on published specifications of in-market memory products against internal Intel® specifications.
Las afirmaciones sobre tecnología se basan en comparaciones de mediciones realizadas de latencia, densidad y ciclos de escritura entre las tecnologías de memoria grabadas en las especificaciones publicadas de productos de memoria del mercado frente a especificaciones internas de Intel®.

With Grade A NAND memory you have a re-write of about 100,000 cycles.
Con la memoria de grado A NAND tiene una re-escritura de alrededor de 100.000 ciclos.

Delay line memory was dynamic volatile, cycle sequential read/write storage, and was used for primary storage.
La memoria de línea de retardo era una memoria dinámica volátil, ciclo secuencial de lectura/escritura.