3C005Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10 000 ohm-cm at 20 °C.
3C005Siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN) „substraten”, of walsblokken, eenkristallen of andere voorvormstukken (preforms) van deze materialen, met een weerstand van meer dan 10 000 ohm-cm bij een temperatuur van 20 °C.EurLex-2 EurLex-2