surface à l'arséniure de gallium oor Engels

surface à l'arséniure de gallium

Vertalings in die woordeboek Frans - Engels

galium arsenide surface

voorbeelde

Un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur consiste à produire un substrat (110) pourvu d'une surface (119), une couche (120) à base d'un arséniure de gallium non dopé sur la surface dudit substrat, à former un contact de grille (210) sur une première portion de la couche, et à enlever une seconde portion de la couche.
A method of manufacturing a semiconductor component includes providing a substrate (110) with a surface (119), providing a layer (120) of undoped gallium arsenide over the surface of the substrate, forming a gate contact (210) over a first portion of the layer, and removing a second portion of the layer.

En choisissant soigneusement les paramètres de croissance, nous avons été capables de fabriquer des couches d'arséniure de gallium (GaAs) de haute qualité, avec une bonne morphologie de surface à des températures aussi basses que 510 °C.
The carbon incorporation is shown to decrease with decreasing growth temperature without deterioration of the film quality.

L'invention porte également sur un matériau substrat-réserve d'HSQ, le substrat étant choisi parmi le germanium ou l'arséniure de gallium, approprié pour être utilisé dans la fabrication de nanodispositifs et comprenant un substrat en germanium ou en arséniure de gallium ayant une surface portant un film ou une couche de réserve d'HSQ à haute résolution, le substrat ayant une surface terminée par des atomes d'halogènes.
Also disclosed is a substrate-HSQ resist material, in which the substrate is selected from germanium or gallium arsenide, suitable for use in nanodevice fabrication and comprising a germanium or gallium arsenide substrate having a surface bearing a high resolution HSQ resist film or layer, in which the substrate has a halogen terminated surface.

Selon cette invention, la surface d'un matériau semi-conducteur tel que l'arséniure de gallium est passivée par irradiation de la surface avec des impulsions laser ultra-courtes jusqu'à obtention d'une surface passive stable.
The surface of a semiconductor material, e.g., gallium arsenide, is passivated by irradiating the surface with ultra-short laser pulses, until a stable passive surface is achieved.

Un procédé de production d'une couche électro-isolante et électro-protectrice d'oxyde d'aluminium sur des substrats semiconducteurs isolants métalliques et supraconducteurs consiste à former un film épitaxial ou polycristallin d'arséniure d'aluminium sur la surface du substrat, par exemple un substrat en arséniure de gallium, et à exposer le substrat revêtu d'arséniure d'aluminium, par exemple, d'arséniure de gallium, à de la vapeur d'eau, par exemple l'atmosphère ambiante contenant de la vapeur d'eau, à une pression de vapeur d'eau et pendant une durée suffisantes pour transformer complètement l'arséniure d'aluminium en oxyde d'aluminium.
A process for producing an electrically insulating and protective layer of aluminum oxide on semiconductive, insulating, metallic and superconductive substrates is disclosed, which comprises forming an epitaxial or polycrystalline film of aluminum arsenide on the surface of the substrate, e.g. a gallium arsenide substrate, and exposing the aluminum arsenide coated substrate, e.g. gallium arsenide, to water vapor, e.g. the ambient atmosphere containing water vapor, at a sufficient water vapor pressure and for a period of time sufficient to substantially completely convert the aluminum arsenide to aluminum oxide.

Ce procédé consiste à utiliser un substrat de support à l'arséniure de gallium (GaAs) (12) surmonté d'au moins un contact (17, 18) pour le dispositif MEMS (10) et à former un porte-à-faux (16) sur la surface du substrat de support (12) placé de manière à être en contact électrique avec le contact (17, 18) dans une seule direction.
A method of forming a hermetically sealed MEMS package (10) includes a step of providing a supporting GaAs substrate (12) with at least one contact (17, 18) for the MEMS device (10) on the surface of the supporting substrate (12) and forming a cantilever (16) on the surface of the supporting substrate (12) positioned to come into electrical engagement with the contact (17, 18) in one orientation.

les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, inductances, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d’un matériau semi-conducteur (par exemple, silicium dopé, arséniure de gallium, silicium-germanium, phosphure d’indium), formant un tout indissociable
Diodes, transistors and similar semiconductor devices are semiconductor devices the operation of which depends on variations in resistivity on the application of an electric field

La cellule solaire à l'arséniure de gallium possède un substrat en germanium (12) coupé selon un angle spécial, avec sa surface généralement perpendiculaire à l'axe 001, mais incliné d'environ 6 à 15 degrés vers la direction définie d'une manière générale environ à mi-chemin entre les directions axiales 011 et 111.
A gallium-arsenide solar cell has a germanium substrate (12) cut at a special angle, with its surface generally perpendicular to the 001 axis, but tilted by about six to fifteen degrees toward the direction generally about half-way between the 011 and the 111 axial directions.

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un matériau substrat-réserve de HSQ, le substrat étant choisi parmi le germanium (Ge) ou l'arséniure de gallium (GeAs), comprenant les étapes consistant à prétraiter une surface du substrat, pour obtenir des terminaisons par des atomes d'halogène de la surface du substrat de façon à enlever l'oxyde de surface, et appliquer une réserve d'HSQ sur la surface.
A method of fabricating a substrate-HSQ resist material in which the substrate is selected from germanium (Ge ) or gallium arsenide (GaAs) comprises the steps of pretreating a surface of the substrate to provide halogen termination of the substrate surface such that surface oxide is removed, and applying a HSQ resist to the surface.

Procédé de fabrication de GaAs FET (transistor à effet de champ à l'arséniure de galium) avec une couche de canaux à implantation ionique (11) où un substrat à implantation ionique (1) est recuit sans couvercle à une surpression d'arsine, et une partie relativement peu profonde (25) de la surface extérieure (15) du substrat (11) dans la couche active est retirée pour le dépôt d'une électrode métallique de porte (27).
Process for fabricating GaAs FETs with an ion implanted channel layer (13) wherein an ion implanted substrate (11) is capless annealed under an arsine overpressure, and a relatively shallow portion (25) of the outer surface (15) of the substrate (11) in the active layer is removed for the deposition of a gate metallic electrode (27).