densité d'états électroniques oor Japannees

densité d'états électroniques

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

状態密度

voorbeelde

En physique du solide, la densité d'états électroniques, en anglais Density of States ou DOS, quantifie le nombre d'états électroniques possédant une énergie donnée dans le matériau considéré.
固体物理学および物性物理学において、系の状態密度(じょうたいみつど、英: density of states, DOS)とは、微小なエネルギー区間内に存在する、系の占有しうる状態数を各エネルギーごとに記述する物理量である。

La densité d'électrons ny et l'état quantique |y>, obtenus lorsque le modèle converge, sont trouvés en tant que solution réelle (solution exacte).
モデルを収束させる際に得られる電子密度nΨ 及び量子状態|Ψ>が真の解(厳密解)として求まる。

La solution selon l'invention porte sur une mémoire spintronique caractérisée en ce qu'elle est équipée d'au moins une paire d'électrodes et d'une couche génératrice de flux de spin qui est prévue entre les électrodes, et comprenant une couche d'alliage (A) présentant une épaisseur située dans la plage allant de 0 à 2 nm non inclus et constituée principalement de Sb2Te3 ou de Bi2Te3 et une couche d'alliage (B) stratifiée de manière adjacente à la couche d'alliage (A) et constituée principalement de GeTe, et qui peut générer une différence de densité entre deux électrons à spin présentant des états de spin différents l'un de l'autre dans la couche d'alliage (A) sur la base d'une tension appliquée à partir des électrodes, une opération de mémoire étant réalisée au moyen de l'électron à spin présentant une densité plus élevée.
【解決手段】本発明のスピン電子メモリは、少なくとも、一対の電極と、前記電極間に配され、厚みが0nmより厚く2nm未満であり、Sb2Te3又はBi2Te3を主成分とする合金層Aと、前記合金層Aに隣接して積層され、GeTeを主成分とする合金層Bとを有し、前記電極からの電圧印加に基づき、前記合金層A中で異なるスピン状態をとる2つのスピン電子に密度差を発生させるスピン流発生層と、が設けられ、密度の高い方の前記スピン電子を利用してメモリ動作を行うことを特徴とする。