graphène oor Japannees

graphène

naamwoord manlike

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

グラフェン

forme allotropique du carbone

Procédé de production de graphène, graphène produit sur un substrat, et graphène sur substrat
グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェン

voorbeelde

Feuille de cuivre pour la production de graphène, et procédé de production de graphène
グラフェン製造用銅箔及びグラフェンの製造方法

Procédé de production d'un matériau en graphène et matériau en graphène
グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材

L'évacuation du métal de la couche de solution solide (505) par alimentation d'un gaz de gravure amène le graphène (102) au contact avec le substrat (103).
炭素を固溶させる溶媒には単一の元素からなる金属のほか、各種の合金も利用可能である。 エッチングガスを供給することによって固溶体層(505)から金属を除去すれば、グラフェン(102)は、基板(103)に接することとなる。

De plus, le développement de dispositifs à ultra haut débit qui prendront en charge les services de communication à haut débit de la génération suivante peut être promu au moyen d'un dispositif électronique comportant une structure à films minces de graphène ou de graphite développée en tant que cristal sur un substrat.
また、基板上に結晶成長されたグラフェンまたはグラファイト薄膜構造を有する電子デバイスにより、次世代高速通信サービスを支える超高速デバイスの開発を促進させることができる。

De préférence, la structure de graphène est configurée à partir d'une nanofeuille de graphène ou de multiples couches de nanofeuilles de graphène, et présente une partie feuille à surface marginale en forme de fauteuil située sur le bord de la feuille; et un cycle terminal à six chaînons qui partage et se lie à un seul côté de la surface marginale en forme de fauteuil.
また、前記グラフェン構造体は、さらに(a)前記末端6員環を構成する炭素原子の内、前記アームチェア型端面部と結合していない炭素原子、及び、(b)前記シート部を構成する炭素原子(前記末端6員環と共有している辺上の炭素原子を含む)から選ばれるいずれか1以上の炭素原子に結合している窒素含有官能基を備えているものが好ましい。

Procédé de fabrication d'un matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/sic) et matériau composite graphène sur carbure de silicium(graphène/sic) obtenu par ledit procédé.
グラフェン/SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン/SiC複合材料

Avec la présente invention, il est possible d'obtenir un film mince de graphène ou de graphite formé sur un film mince de cristal de SiC cubique, au moyen d'un mince film de cristal de SiC cubique ayant une orientation (111) et formé sur un substrat en Si (1) en tant que matériau de base.
【解決手段】本発明では、Si基板1の上に形成される(111)方位を有する立方晶SiC結晶薄膜を基材として、立方晶SiC結晶薄膜上に形成されたグラフェンまたはグラファイト薄膜を得ることができる。

Film mince de graphène ou de graphite, procédé de fabrication de ce film, structure à films minces et dispositif électronique
グラフェンまたはグラファイト薄膜、その製造方法、薄膜構造および電子デバイス

L'invention propose un procédé de fabrication qui permet de fabriquer de façon rentable un matériau composite de graphène sur carbure de silicium (graphène/SiC) : à l'échelle atomique, un graphène en un plan et de grande surface est formée par stratification sur un substrat de monocristal de carbure de silicium (SiC).
原子レベルにおいて平坦な大面積グラフェンが、SiC単結晶基板上に積層形成されてなるグラフェン/SiC複合材料を有利に製造することが出来る製造方法を提供すること。

Dans une étape d'évacuation, le métal est évacué de la couche de solution solide (505) tandis que la solution solide est maintenue chauffée à la température de solution solide, ce qui provoque la croissance du graphène (102) sur le substrat (103).
ここで、形成工程では、金属に炭素が固溶した固溶体が形成可能な固溶温度への加熱を行って、当該固溶体からなる固溶体層(505)を基板(103)上に形成する。

Procédé de formation d'un film de graphène
グラフェン膜の作製方法

À cet effet, est proposé un film électroconducteur transparent qui comprend : une couche de réseau de fil métallique fin (12) ; et une ou plusieurs couches de graphène (13) placées sur au moins une face de la couche de réseau de fil métallique fin (12).
【課題】シート抵抗が十分に低く、可視光透過率が十分に高く、全面にわたって高い導電性を確保することができ、しかも電解液に対する耐食性に優れた透明導電膜およびその製造方法ならびにこの透明導電膜を用いた光電変換装置および電子機器を提供する。

L'invention concerne un procédé de production de graphène sur un substrat, etc.
基板上にグラフェンを製造する製造方法等を提供する。

Feuille de transfert dotée d'un film conducteur transparent composée principalement de graphène, son procédé de fabrication et conducteur transparent
グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法、透明導電物

L'invention concerne un procédé de fabrication, une structure à films minces et un dispositif électronique comportant cette structure, qui permettent de former de minces films de graphène ou de graphite de haute qualité compatibles avec une grande superficie de manière épitaxiale sur un substrat en Si.
【課題】高品質、かつ大面積化に対応したグラフェンまたはグラファイト薄膜、それらをSi基板上にエピタキシャルに形成することができる製造方法、薄膜構造およびそれらを有する電子デバイスを提供する。

De plus, en disposant simplement le graphène (8) dans le liquide ionique (L), une configuration dans laquelle une pluralité de polymères sont utilisés afin d'effectuer une modification chimique de surface d'un nanotube de carbone comme dans l'état antérieur de la technique n'est plus nécessaire, rendant ainsi possible de simplifier la configuration en conséquence.
また、単に、グラフェン(8)をイオン液体(L)中に配置させるように設ければよいことから、従来のようにカーボンナノチューブを複数のポリマーで表面化学修飾する構成が不要になり、その分だけ簡易な構成とすることができる。

L'invention concerne un matériau carbone d'électrode négative pour une batterie secondaire au lithium, qui se compose d'un matériau à base de graphite dans lequel des trous sont formés dans le plan de la couche de graphène.
グラフェン層平面にホールが形成された黒鉛系材料からなるリチウム二次電池用負極炭素材料。

Le graphène est formé sur la couche de métal catalytique (16), ce qui fait qu'il prend la même forme que la couche de métal catalytique (16), à savoir une forme en zigzag.
グラフェンは触媒金属層16上に形成されるため、触媒金属層16と同じ形状つまりジグザグ状となる。

Procédé de traitement d'un objet à traiter possédant un film de graphène
グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法

Cela provoque le réarrangement de la surface de Ni en une surface (111), et les atomes de C introduits sont amenés à former un réseau hexagonal et du graphène à croître.
すると、Ni表面は(111)面に再配列されると共に、供給されたC原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。

Feuille de cuivre pour fabrication de graphène, et procédé de fabrication de graphène
グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法

Procédé pour la production de couche de métal de catalyseur et procédé pour la production de matériau graphène
触媒金属層の製造方法及びグラフェン素材の製造方法

La présente invention concerne un substrat de graphène fabriqué par la mise en contact d'une couche métallique avec une couche contenant du carbone, le chauffage pour la dissolution de la couche contenant du carbone dans la couche métallique, suivi de son refroidissement pour précipiter le carbone dans la couche métallique sous forme de graphène sur une surface quelconque d'un substrat.
金属層を炭素含有層に接触させ、加熱することで金属層中に炭素含有層中の炭素を溶解させ、冷却することで金属層中の前記炭素を任意の基板表面にグラフェンとして析出させることにより、グラフェン基板を製造する。

Ensuite, on fixe des électrodes carrées (18, 20) aux deux extrémités du graphène en forme de zigzag.
次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極18,20を取り付ける。

A savoir, que l'invention vise à proposer un feuillet de graphène (10) pour la formation d'un tube de carbone de grande dimension, etc. dont l'absorption dans le corps humain peut être inhibée.
かかるグラフェンシート10には、隣接炭素原子間隔が1. 4Åで、6員環炭素がSP2混成により平面的に繋がった構造を有しており、カーボンナノチューブで提案されたと同様のグラフェンシートである。