La présente invention concerne un transistor à couches minces organiques qui contient un composé représenté par la formule générale (1) (dans laquelle, X représente un atome S, un atome O ou NR7 ; chaque A représente individuellement CR8 ou un atome d'azote ; et R1 à R8 représentent chacun individuellement un atome d'hydrogène ou un groupe de substituants, au moins un R représentant un groupe de substituants) dans une couche active semi-conductrice, qui a une mobilité élevée des porteurs, un faible changement de tension de seuil après des commandes répétées et une solubilité élevée dans des solvants organiques.
一般式(1)で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(一般式(1)において、XはS原子、O原子またはNR7を表し、Aはそれぞれ独立にCR8または窒素原子を表す。 R1~R8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、少なくとも1つは置換基を表す)は、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さく、有機溶媒への高い溶解性を有する。patents-wipo patents-wipo