points de découpage oor Japannees

points de découpage

Vertalings in die woordeboek Frans - Japannees

トリミング ポイント

voorbeelde

La présente invention concerne une réduction d'un bruit de pointe de tension provoqué par des caractéristiques de fréquence et une vitesse de balayage finies d'un circuit amplificateur opérationnel qui utilise une technique de modulation par découpage.
チョッパ変調技術を用いた演算増幅回路の有限の周波数特性とスルーレートに起因するグリッジ形状のノイズを低減する。

L'invention se rapporte à un procédé de découpage d'un substrat de matériau cassant (G) le long de première et seconde lignes de découpage (L1-1, L1-2) qui se croisent au niveau d'au moins un point, le procédé comprenant une première étape de formation de lignes de traçage (L2-1 et L2-2) sur une surface de substrat (G1) le long des première et seconde lignes de découpage (L1-1, L1-2), et une seconde étape dans laquelle une position d'exposition à un faisceau laser (A) sur la surface de substrat (G1) est relativement déplacée le long des lignes de traçage (L2-1 et L2-2), et le substrat (G) est découpé sur le côté amont de la position d'exposition (A) dans la direction de déplacement, l'exposition au faisceau laser étant restreint sur les côtés intérieurs des zones (J et K) qui sont proches des points d'intersection (C et D) où les première et seconde lignes de découpage (L1-1, L1-2) se croisent.
少なくとも1点で交差する第1及び第2の割断線L1-1、L1-2に沿って脆性材料基板Gを割断する方法であって、基板表面G1にスクライブ線L2-1及びL2-2を第1及び第2の割断線L1-1、L1-2に沿って形成する第1工程と、基板表面G1におけるレーザ光の照射位置Aをスクライブ線L2-1及びL2-2に沿って相対的に移動させて基板Gを照射位置Aより移動方向前方で割断する第2工程とを有し、第1及び第2の割断線L1-1、L1-2が交差する交点C及びD近傍の領域J及びKの内側において、レーザ光の照射を制限する脆性材料基板の割断方法。

La présente invention porte sur un procédé pour découper un objet à traiter, qui comporte : une étape pour former une zone reformée (71) à l'intérieur d'un substrat (31) le long d'une pluralité de lignes de découpage (51) par réglage de la surface arrière (31b) d'un substrat de saphir monocristallin (31) en tant que surface incidente pour une lumière laser (L) à l'intérieur du substrat (31) et alignement d'un point focal (P) de la lumière laser (L) à l'intérieur du substrat (31), et la provocation du point focal (P) à se déplacer relativement depuis un côté vers l'autre côté le long de chaque ligne de découpage de la pluralité de lignes de découpage (51), qui sont réglées afin d'être parallèles sur le côté et le côté arrière (31b) du substrat (31) ; et d'une étape pour étendre par la suite une fissure (81) apparaissant dans la zone reformée (71) et découper l'objet à traiter le long des lignes (51).
この加工対象物切断方法は、単結晶サファイア基板31の裏面31bを基板31におけるレーザ光Lの入射面として、基板31内にレーザ光Lの集光点Pを合わせて、基板31のa面及び裏面31bに平行となるように設定された複数の切断予定ライン51のそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点Pを相対的に移動させることで、各ライン51に沿って基板31内に改質領域71を形成する工程と、その後に、各ライン51に沿って加工対象物1に外力を作用させることで、改質領域71から発生した亀裂81を伸展させて、各ライン51に沿って加工対象物1を切断する工程と、を備える。

L'invention concerne un film adhésif doté d'une feuille de découpage en dés (1), ledit film adhésif (12) étant stratifié sur la partie supérieure d'un film de découpage en dés (11) qui présente une excellente fiabilité et peut facilement former une partie saillante en pointe (partie saillante en forme de langue) sur un film de revêtement (2) tout en conservant une fonction de suppression de formation de marques de transfert lorsqu'un film (10) destiné à un dispositif à semi-conducteurs, sur lequel le film adhésif doté de la feuille de découpage en dés est stratifié à des intervalles prédéfinis sur le film de revêtement, est enroulé en cylindre.
ダイシングフィルム(11)上に接着フィルム(12)が積層されたダイシングシート付き接着フィルム(1)が所定の間隔をおいてカバーフィルム(2)に積層された半導体装置用フィルム(10)をロール状に巻き取った際の転写痕の抑制機能を維持しつつ、カバーフィルムの先端出し(ベロ出し)が容易にでき、信頼性に優れるダイシングシート付き接着フィルムを提供する。