長時間スパッタリングしても異常放電が殆どなく、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下の要因となるCu2Se又はCu(In、Ga)3Se5の異相が存在せず、面内均一性に優れた膜の製造が可能であるCIGS四元系合金スパッタリングターゲット、さらに、所定のバルク抵抗を備え、かつ高密度のCIGS四元系合金スパッタリングターゲットを提供する。
lorsque le délégué cesse de faire partie du syndicat dont il était membre au moment de sa désignationpatents-wipo patents-wipo