인듐 oor Engels

인듐

Vertalings in die woordeboek Koreaans - Engels

indium

naamwoord

metallic chemical element

본 발명은 산화인듐 및 산화탄탈륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막에 관한 것이다.
The present invention relates to a transparent conductive film comprising indium oxide and tantalum oxide.

Soortgelyke frases

산화 인듐
indium oxide

인듐 주석 산화물
ITO · indium tin oxide

인듐 동위 원소
isotope of indium

voorbeelde

인듐함유 용액 또는 혼합물으로부터의 인듐의 회수 방법
Method for recovering indium from solution or mixture which contains indium

구리막 및 인듐틴산화막의 이중막 또는 구리막 및 금속막의 이중막을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다.
Provided are: an etching-solution composition whereby it is possible to simultaneously etch a double film of a copper film and an indium tin oxide film or a double film of a copper film and a metal film; and an etching method using same.

본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The active layer contains indium gallium nitride (InGaN), and the barrier layer is formed by alternately stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) thin film and an indium gallium nitride (InGaN) thin film.

갈륨 인듐 탈륨
Gallium Indium Thallium

히트파이프가 동작해야 하는 온도에 따라 작동 유체(working fluid)가 선택되며, 그 예는 매우 낮은 온도(2~4 K)을 위한 액체 헬륨, 수은(523~923 K), 나트륨(873~1473 K), 심지어는 매우 높은 온도를 위한 인듐(2000~3000 K)에 이르기까지 다양하다.
Working fluids are chosen according to the temperatures at which the heat pipe must operate, with examples ranging from liquid helium for extremely low temperature applications (2–4 K) to mercury (523–923 K), sodium (873–1473 K) and even indium (2000–3000 K) for extremely high temperatures.

본 발명은 태양전지의 광흡수층 제조용 응집상 전구체(aggregate phase precursor)로서, 구리(Cu) 함유 칼코게나이드로 이루어진 제 1상(phase)과, 인듐(In) 및/또는 갈륨(Ga) 함유 칼코게나이드로 이루어진 제 2상(phase)을 포함하고, 상기 응집상 전구체는 광흡수층 제조용 잉크 용매에서 전구체 전체 중량을 기준으로 30% 이상이 제 1상 및/또는 제 2상을 포함하는 입자 응집체들 또는 제 1상 또는 제 2상을 갖는 독립적 입자들로 분리되는 것을 특징으로 하는 광흡수층 제조용 응집상 전구체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an aggregate phase precursor for producing a light absorbing layer and a method for producing the same, the aggregate phase precursor for producing a light absorbing layer of a solar cell comprises: a first phase having copper (Cu)-containing chalcogenide; and a second phase having indium (In)- and/or gallium (Ga)-containing chalcogenide, wherein the aggregate phase precursor is separated, in an ink solvent for producing a light absorbing layer, into particle aggregates of which 30% or more, on the basis of the whole weight of the precursor, have the first phase and/or the second phase or into independent particles having the first phase or the second phase.

본 발명은 산화인듐 및 산화탄탈륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막에 관한 것이다.
The present invention relates to a transparent conductive film comprising indium oxide and tantalum oxide.

상기 방법은, (a) 구리, 인듐, 갈륨 중 하나 이상을 포함하는 프리커서를 기판에 증착하는 단계; (b) 반응 용기의 내부의 일면에 셀렌을 증착시키는 단계; (c) 상기 반응 용기내에 상기 기판을 배치하되, 상기 반응 용기의 셀렌 증착면과 상기 기판의 프리커서 증착면이 일정 간격 이격되면서 서로 마주보도록 배치한 후, 상기 반응 용기를 밀폐시키는 단계; (d) 상기 밀폐된 반응 용기를 급속 열처리 장비의 반응 챔버내에 장입시키는 단계; (e) 상기 반응 용기를 열처리하여 기판의 프리커서를 셀렌화하는 단계;를 구비하여, 기판의 표면에 광흡수층을 형성한다.
The method comprises the steps of: (a) depositing, on a substrate, a precursor including at least one of copper, indium, and gallium; (b) depositing selenium on one surface of the inside of a reaction container; (c) arranging the substrate inside the reaction container such that the selenium-deposited surface of the reaction container is spaced apart at a predetermined distance from the precursor-deposited surface of the substrate such that each surface faces the other, and then sealing the reaction container; (d) feeding the sealed reaction container into a reaction chamber of rapid thermal annealing equipment; and (e) annealing the reaction container so as to selenize the precursor of the substrate, thereby forming the light-absorption layer on the surface of the substrate.

본 발명의 목적은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막을 제공하는 데 있다.
The aim of the present invention is to provide an indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and provide an inorganic semiconductor thin film produced thereby.

본 발명은 인듐이 포함된 용액, 분산액 또는 혼합물, 예를 들어 인듐이 포함된 해수 산업용수, 폐수, 냉각수, 디스플레이 패널과 같은 전자제품 폐기물로부터 추출되는 용액 등으로부터 고선택도 및 고효율로 인듐을 회수할 수 있는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for recovering indium with high selectivity and high efficiency from a solution, a dispersion liquid or a mixture which contains indium, for example from seawater, industrial water, waste water, cooling water or a solution extracted from wastes of electronic products, such as a display panel, which contains indium.

본 발명의 장신구용 귀금속 합금은 금, 은, 및 백금으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 귀금속을 함유하고, 여기에 게르마늄, 비스무스, 및 인듐을 더 포함하도록 구성된다.
The present invention also provides a personal ornament produced from the precious-metal alloy for personal ornaments.

자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
Indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and inorganic semiconductor thin film produced thereby

본 발명은 투명 도전성 박막 형성용 코어-쉘 나노 입자, 이의 제조방법 및 이를 사용한 투명 도전성 박막의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐 또는 인듐 옥사이드를 포함하는 코어(core)와 주석을 포함하는 쉘(shell)로 이루어진 것을 특징으로 하는 코어-쉘 구조의 나노 입자, 이의 제조방법 및 (i) 코어-쉘 구조의 나노 입자를 용매에 분산시켜 코팅액을 제조하는 과정; (ii) 상기 코팅액을 기재 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 과정; (iii) 상기 코팅층을 건조시키는 과정; 및 (iv) 상기 코팅층에 대하여 어닐링 공정을 수행하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to core-shell nanoparticles for transparent electrically-conductive thin film formation, and to a production method for a transparent electrically-conductive thin film using same.

인듐 주석 산화물 박막 변형 게이지는 1400 °C 이상의 온도에서 동작할 수 있고 가스 터빈, 제트 엔진, 로켓 엔진같은 나쁜 환경에서도 사용할 수 있다.
ITO thin film strain gauges can operate at temperatures up to 1400 °C and can be used in harsh environments, such as gas turbines, jet engines, and rocket engines.

셀레늄화구리인듐 나노입자 및 그의 제조 방법
Copper indium selenide nanoparticles and preparation method thereof

본 발명에 의할 시 제 1 기판 상에 구리, 인듐 및 갈륨으로 구성된 금속 전구체가 코팅된 전구체 기판을 준비하는 단계, 제 2 기판 상에 셀레늄이 코팅된 셀레늄 코팅 기판을 준비하는 단계, 상기 전구체 기판의 금속 전구체 일면과 상기 셀레늄 코팅 기판의 셀레늄 일면을 대면시켜 밀착하는 단계 및 상기 밀착된 전구체 기판 및 셀레늄 코팅 기판을 상기 셀레늄 코팅 기판에 코팅된 셀레늄의 기화가 가능한 온도로 가열하는 단계를 포함하는 CIGS(Copper-Indium-Galium-Selenium) 박막 코팅 기판의 제조방법이 제공된다.
The present invention provides a method for preparing a copper-indium-gallium-selenium (CIGS) thin film-coated substrate, comprising the following steps: preparing a precursor substrate in which a metal precursor comprising copper, indium and gallium is coated on a first substrate; preparing a selenium-coated substrate in which selenium is coated on a second substrate; facing one surface of the metal precursor of the precursor substrate to one surface of selenium of the selenium-coated substrate and closely adhering the same; and heating the closely adhered precursor substrate and selenium-coated substrate at a temperature at which selenium coated on the selenium-coated substrate can evaporate.

1863년에는 각 원소가 발하는 독특한 빛깔을 분리할 수 있는 분광기를 사용하여 인듐의 존재를 확인했는데, 이것은 63번째로 발견된 원소였습니다.
In 1863 the spectroscope, which can separate the unique band of colors that each element gives off, was used to identify indium, which was the 63rd element discovered.

본 발명은 철 화합물 0.1 중량% 내지 10 중량%; 질산 0.1 중량% 내지 10 중량%; 함불소 화합물 0.01 중량% 내지 5 중량%; 및 잔량의 물을 포함하고, 인산염 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%를 추가로 포함할 수 있는 인듐계 금속막, 알루미늄계 금속막, 및 티타늄계 또는 몰리브덴계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to an etchant composition for etching a triple film constituted by an indium-based metal film, an aluminum-based metal film, and a titanium-based or molybdenum-based metal film, wherein the etchant composition comprises: 0.1 wt % to 10 wt % of a ferrous compound; 0.1 wt % to 10 wt % of nitric acid; 0.01 wt % to 5 wt % of a fluorine compound; with the remainder being water, and further comprises 0.1 wt % to 5 wt % of a phosphate compound.

본 발명은, 원통형 세라믹 타겟과 원통형 백킹 튜브(Backing Tube)로 이루어진 원통형 스퍼터링 타겟을 제조함에 있어서, 원통형 백킹 튜브의 외주에, 중공 원통형 세라믹 타겟을 배치하는 제1 단계; 상기 세라믹 타겟의 외부를 가온하면서, 상기 백킹 튜브 내부에 액체 열매체를 순환 또는 충진시켜, 세라믹 타겟과 백킹 튜브 사이 간극의 온도를 제어하는 제2 단계; 및 상기 세라믹 타겟과 상기 백킹 튜브 사이에 용융상태의 인듐을 충진하여 세라믹 타겟과 백킹 튜브를 접합시키는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 원통형 스퍼터링 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a cylindrical sputtering target which is configured to have a cylindrical ceramic target and a cylindrical backing tube.

본 발명은, (i)황(S), 또는 셀레늄(Se), 또는 황(S) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 VI족 소스와 인듐(In)염을 용매에 녹여 제 1 용액을 준비하는 과정; (ii) 제 1 용액을 반응시켜 1차 전구체 입자를 형성시키는 과정; (iii) 구리(Cu)염을 용매에 녹여 제 2 용액을 준비하는 과정; (iv)상기 1차 전구체가 형성된 제 1 용액에 제 2 용액을 혼합하여 혼합물을 제조하는 과정; 및 (V) 상기 혼합물의 반응에 의해 CI(G)S 나노 입자를 합성한 후 정제하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 나노 입자의 제조 방법, 및 이 방법에 의해 제조된 CI(G)S 나노 입자에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing CI(G)S nanoparticles and CI(G)S nanoparticles manufactured using the same.

이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다.
To this end, the present invention provides a semiconductor ink composition which comprises a complex, represented by formula 1, incorporating a nitrate of a metal A which is an oxidising material and incorporating a metal B which is a fuel material; wherein the metal A and the metal B is each respectively a metal selected from the group consisting of indium, gallium, zinc, titanium, aluminium, lithium and zirconium, and metal A and metal B are different from each other.

미국 조지아 공대 과학자들은 한 면에는 나노 와이어를 부착하고, 반대면에는인듐주석산화물을코팅한유연한비닐조각으로이 뤄진 풍력 발전기를 개발했다.
Scientists at Georgia Institute of Technology (USA) have designed a wind-power generator made of flexible plastic strips with nanowires on one side and an indium tin oxide coating on the other.

인화 인듐(InP) 프로세스와 칩세트
Indium Phosphide (InP) process and chipsets

연구 및 시험 생산 실리콘 시리즈 이외에, 태양 전지왔다, 카드뮴 황화물, 갈륨 비소, 구리 인듐 셀렌 그리고 언급하기에 너무 많은 태양 전지, 기타 여러 종류가 있으며, 다음은 일반적인 태양의 몇 가지 세포.
Research and trial production has been the solar cell, in addition to silicon series, there are cadmium sulfide, gallium arsenide, copper indium selenium and many other types of solar cells, too numerous to mention, the following are a few of the more common solar cells.

특징 Nitto의 독창적인 스퍼터 증착법은 ITO(인듐-주석 산화물) 필름과 폴리에스터 기재 사이에 우수한 접착력을 보장합니다.
Our unique spatter deposition method ensures excellent adhesion between the ITO (Indium-Tin Oxide) film and polyester substrate.